場(chǎng)效應管的作用：

場(chǎng)效應管是場(chǎng)效應晶體管（Field Effect Transistor,FET）的簡(jiǎn)稱(chēng)。它屬于電壓控制型半導體器件，具有輸入電阻高、噪聲小、功耗低、沒(méi)有二次擊穿現象、安全工作區域寬、受溫度和輻射影響小等優(yōu)點(diǎn)，特別適用于高靈敏度和低噪聲的電路，現已成為普通晶體管的強大競爭者。

三極管和場(chǎng)效應管的主要區別在于三極管的放大或者開(kāi)關(guān)功能依賴(lài)基極的電流分量。場(chǎng)效應管的放大和開(kāi)關(guān)功能依賴(lài)于柵極的電壓分量。其他還有開(kāi)關(guān)時(shí)間特性的區別，一般晶體三極管大電流的開(kāi)關(guān)速度遠比不上場(chǎng)效應管。
三極管是靠載流子的運動(dòng)來(lái)工作的，以npn管射極跟隨器為例，當基極加不加電壓時(shí)，基區和發(fā)射區組成的pn結為阻止多子（基區為空穴，發(fā)射區為電子）的擴散運動(dòng)，在此pn結處會(huì )感應出由發(fā)射區指向基區的靜電場(chǎng)（即內建電場(chǎng)），當基極外加正電壓的指向為基區指向發(fā)射區，當基極外加電壓產(chǎn)生的電場(chǎng)大于內建電場(chǎng)時(shí)，基區的載流子（電子）才有可能從基區流向發(fā)射區，此電壓的最小值即pn結的正向導通電壓（工程上一般認為0.7v）。但此時(shí)每個(gè)pn結的兩側都會(huì )有電荷存在，此時(shí)如果集成電極-發(fā)射極加正電壓，在電場(chǎng)作用下，發(fā)射區的電子往基區運動(dòng)（實(shí)際上都是電子的反方向運動(dòng)），由于基區寬度很小，電子很容易越過(guò)基區到達集電區，并與此處的PN的空穴復合（靠近集電極），為維持平衡，在正電場(chǎng)的作用下集電區的電子加速外集電極運動(dòng)，而空穴則為pn結處運動(dòng)，此過(guò)程類(lèi)似一個(gè)雪崩過(guò)程。集電極的電子通過(guò)電源回到發(fā)射極，這就是晶體管的工作原理。三極管工作時(shí)，兩個(gè)pn結都會(huì )感應出電荷，當做開(kāi)關(guān)管處于導通狀態(tài)時(shí)，三極管處于飽和狀態(tài)，如果這時(shí)三極管截至，pn結感應的電荷要恢復到平衡狀態(tài)，這個(gè)過(guò)程需要時(shí)間。

總結：

1．MOSFET溫度穩定性好，而三極管受溫度影響較大，因此環(huán)境溫度變化較的場(chǎng)合下，采用MOSFET更合適。

2．用來(lái)放大信號時(shí)，三極管輸入端的發(fā)射結為正向偏置。輸入阻抗較小。而MOSFET輸入阻抗極高，因此MOSFETＴ放大級對前級的放大能力影響極小。

3．MOSFET的輸入電阻極高，所以一旦柵極上感應少量電荷。就管。因此使用ＭＯＳ管時(shí)要特別小心。尤其是焊接ＭＯＳ管時(shí)，電烙鐵外殼要良好接地。管子存放時(shí)，應使ＭＯＳ管柵極與源極短接，避免柵極懸空。

4．三極管由于發(fā)射區和集電區結構上的不對稱(chēng)，所以正常使用時(shí)．發(fā)射極和集電極是不能互換的。而MOSFET在結構上是對稱(chēng)的。所以源極和漏極可以互換使用。但要注意。分立的MOSFET．有時(shí)已將襯底和源極在管內短接，源極和漏極就不能互換使用了。

5．場(chǎng)效應管放大電路最大最突出的特點(diǎn)是．共源、共漏和共柵電路的輸入電阻高于相應的共發(fā)射極、共集電極和共基極電路的輸入電阻。此外，場(chǎng)效應管還有噪聲低、溫度穩定性好、抗輻射能力強等優(yōu)于三極管的特點(diǎn)，而且便于集成。

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