mos管應用
mos管介紹

在了解mos管應用之前，我們先來(lái)了解一下mos管的一些基礎知識及工作原理等。

mos管是金屬(metal)—氧化物(oxide)—半導體(semiconductor)場(chǎng)效應晶體管，或者稱(chēng)是金屬—絕緣體(insulator)—半導體。MOS管的source和drain是可以對調的，他們都是在P型backgate中形成的N型區。在多數情況下，這個(gè)兩個(gè)區是一樣的，即使兩端對調也不會(huì )影響器件的性能。這樣的器件被認為是對稱(chēng)的。

mos管電路符號

常用于MOSFET的電路符號有很多種變化，最常見(jiàn)的設計是以一條直線(xiàn)代表通道，兩條和通道垂直的線(xiàn)代表源極與漏極，左方和通道平行而且較短的線(xiàn)代表柵極，如下圖所示。有時(shí)也會(huì )將代表通道的直線(xiàn)以破折線(xiàn)代替，以區分增強型MOSFET（enhancement mode MOSFET）或是耗盡型MOSFET（depletion mode MOSFET）。

由于集成電路芯片上的MOSFET為四端元件，所以除了柵極、源極、漏極外，尚有一基極（Bulk或是Body）。MOSFET電路符號中，從通道往右延伸的箭號方向則可表示此元件為N型或是P型的MOSFET。箭頭方向永遠從P端指向N端，所以箭頭從通道指向基極端的為P型的MOSFET，或簡(jiǎn)稱(chēng)PMOS（代表此元件的通道為P型）；反之若箭頭從基極指向通道，則代表基極為P型，而通道為N型，此元件為N型的MOSFET，簡(jiǎn)稱(chēng)NMOS。在一般分布式MOSFET元件（discrete device）中，通常把基極和源極接在一起，故分布式MOSFET通常為三端元件。而在集成電路中的MOSFET通常因為使用同一個(gè)基極（common bulk），所以不標示出基極的極性，而在PMOS的柵極端多加一個(gè)圓圈以示區別。

MOS管應用的使用優(yōu)勢

MOS管是電壓控制元件，而晶體管是電流控制元件。在只允許從信號源取較少電流的情況下，應選用MOS管；而在信號電壓較低，又允許從信號源取較多電流的條件下，應選用晶體管。

MOS管是利用多數載流子導電，所以稱(chēng)之為單極型器件，而晶體管是即有多數載流子，也利用少數載流子導電，被稱(chēng)之為雙極型器件。有些MOS管的源極和漏極可以互換使用，柵壓也可正可負，靈活性比晶體管好。MOS管能在很小電流和很低電壓的條件下工作，而且它的制造工藝可以很方便地把很多MOS管集成在一塊硅片上，因此MOS管在大規模集成電路中得到了廣泛的應用。

MOS管應用-MOS管應用領(lǐng)域及應用方案詳解

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