什么是PMOS

PMOS是指n型襯底、p溝道，靠空穴的流動(dòng)運送電流的MOS管。

PMOS晶體管的空穴遷移率低，因而在MOS晶體管的幾何尺寸和工作電壓絕對值相等的情況下，PMOS晶體管的跨導小于N溝道MOS晶體管。此外，P溝道MOS晶體管閾值電壓的絕對值一般偏高，要求有較高的工作電壓。它的供電電源的電壓大小和極性，與雙極型晶體管——晶體管邏輯電路不兼容。PMOS因邏輯擺幅大，充電放電過(guò)程長(cháng)，加之器件跨導小，所以工作速度更低，在NMOS電路（見(jiàn)N溝道金屬—氧化物—半導體集成電路）出現之后，多數已為NMOS電路所取代。只是，因PMOS電路工藝簡(jiǎn)單，價(jià)格便宜，有些中規模和小規模數字控制電路仍采用PMOS電路技術(shù)。

PMOS工作原理

PMOS的工作原理與NMOS相類(lèi)似。因為PMOS是N型硅襯底，其中的多數載流子是空穴，少數載流子是電子，源漏區的摻雜類(lèi)型是P型，所以，PMOS的工作條件是在柵上相對于源極施加負電壓，亦即在PMOS的柵上施加的是負電荷電子，而在襯底感應的是可運動(dòng)的正電荷空穴和帶固定正電荷的耗盡層，不考慮二氧化硅中存在的電荷的影響，襯底中感應的正電荷數量就等于PMOS柵上的負電荷的數量。當達到強反型時(shí)，在相對于源端為負的漏源電壓的作用下，源端的正電荷空穴經(jīng)過(guò)導通的P型溝道到達漏端，形成從源到漏的源漏電流。同樣地，VGS越負(絕對值越大)，溝道的導通電阻越小，電流的數值越大。

與NMOS一樣，導通的PMOS的工作區域也分為非飽和區，臨界飽和點(diǎn)和飽和區。當然，不論NMOS還是PMOS，當未形成反型溝道時(shí)，都處于截止區，其電壓條件是

VGS<VTN (NMOS)，

VGS>VTP (PMOS)，

值得注意的是，PMOS的VGS和VTP都是負值。

PMOS集成電路是一種適合在低速、低頻領(lǐng)域內應用的器件。PMOS集成電路采用-24V電壓供電。CMOS-PMOS接口電路采用兩種電源供電。采用直接接口方式，一般CMOS的電源電壓選擇在10～12V就能滿(mǎn)足PMOS對輸入電平的要求。MOS場(chǎng)效應晶體管具有很高的輸入阻抗，在電路中便于直接耦合，容易制成規模大的集成電路。

PMOS-化學(xué)物品

PMOs即periodic mesoporous organosilicas，介孔硅基有機-無(wú)機雜化材料。它是一種分子水平上有機組分與無(wú)機組分在孔壁中雜化的材料，這類(lèi)材料有著(zhù)許多獨特的性質(zhì)：有機官能團均勻分布在孔壁中且不堵塞孔道，有利于客體分子的引入和擴散；骨架中的有機官能團可以在一定程度L調節材料的物化性質(zhì)，如機械性能，親/疏水性；可以同時(shí)實(shí)現對孔道和孔壁功能性的調變．正因如此，PMOs已成為當今材料科學(xué)領(lǐng)域的一個(gè)研究熱點(diǎn)。

上世紀90年代初以M41S(Mobile composite of matter)及FSM(folded sheets mesoporous materi-al)為代表的有序介孔氧化硅材料的報道掀起了介孔材料的合成和應用研究的熱潮。一方面，有序介孔材料的出現突破了微孔材料(如沸石)的孔徑限制，可以在有機大分子、生物大分子的固載、催化轉化等領(lǐng)域中得到應用；另一方面，介孔材料中不同取向、不同尺寸及不同連通度的孔道作為理想的納米反應器，可以用來(lái)組裝和限域金屬配合物及生物大分子，定向合成納米粒子等．最初的介孔材料的孔壁組成為氧化硅，為了拓展其在不同領(lǐng)域的應用，研究者們致力于擴展其孔壁組成的研究，包括雜原子摻雜介孔氧化硅，介孔金屬氧化物、金屬、硫化物、碳、聚合物等，以及對介孔氧化硅進(jìn)行有機修飾怛¨．其中有機修飾是擴展其應用的最為便捷也最為靈活的途徑之一。對于有機官能化的介孑L氧化硅材料主要分為表面結合型及橋鍵型有機一無(wú)機介孔材料兩種。表面結合型有機一無(wú)機介孔材料可以通過(guò)后嫁接或共縮聚兩種方式將有機基團引入到介孔材料的孔道中。引入的有機基團還可以通過(guò)進(jìn)一步的化學(xué)反應衍生出新的活性中心。表面結合型有機一無(wú)機介孔材料的活性位比較容易接近，可選的有機基團種類(lèi)也相對較多。但這種方法合成的材料存在有機基團分布不均勻，占用孔道空間降低孔容等缺點(diǎn)。橋鍵型有機一無(wú)機介孔材料，簡(jiǎn)稱(chēng)PMOs（Periodic Mesoporous Organosilicas)，是指有機基團存在于材料的孔壁結構中的有機一無(wú)機介孔材料。

PMOS和NMOS區別

在實(shí)際項目中，我們基本都用增強型

mos管，分為N溝道和P溝道兩種。我們常用的是NMOS，因為其導通電阻小，且容易制造。在MOS管原理圖上可以看到，漏極和源極之間有一個(gè)寄生二極管。這個(gè)叫體二極管，在驅動(dòng)感性負載（如馬達），這個(gè)二極管很重要。順便說(shuō)一句，體二極管只在單個(gè)的MOS管中存在，在集成電路芯片內部通常是沒(méi)有的。

1、導通特性

NMOS的特性，Vgs大于一定的值就會(huì )導通，適合用于源極接地時(shí)的情況（低端驅動(dòng)），只要柵極電壓達到4V或10V就可以了。 PMOS的特性，Vgs小于一定的值就會(huì )導通，適合用于源極接VCC時(shí)的情況（高端驅動(dòng)）。但是，雖然PMOS可以很方便地用作高端驅動(dòng)，但由于導通電阻大，價(jià)格貴，替換種類(lèi)少等原因，在高端驅動(dòng)中，通常還是使用NMOS。

2.MOS開(kāi)關(guān)管損失

不管是NMOS還是PMOS，導通后都有導通電阻存在，這樣電流就會(huì )在這個(gè)電阻上消耗能量，這部分消耗的能量叫做導通損耗。選擇導通電阻小的MOS管會(huì )減小導通損耗?，F在的小功率MOS管導通電阻一般在幾十毫歐左右，幾毫歐的也有。 MOS在導通和截止的時(shí)候，一定不是在瞬間完成的。

MOS兩端的電壓有一個(gè)下降的過(guò)程，流過(guò)的電流有一個(gè)上升的過(guò)程，在這段時(shí)間內，MOS管的損失是電壓和電流的乘積，叫做開(kāi)關(guān)損失。通常開(kāi)關(guān)損失比導通損失大得多，而且開(kāi)關(guān)頻率越高，損失也越大。 導通瞬間電壓和電流的乘積很大，造成的損失也就很大?？s短開(kāi)關(guān)時(shí)間，可以減小每次導通時(shí)的損失；降低開(kāi)關(guān)頻率，可以減小單位時(shí)間內的開(kāi)關(guān)次數。這兩種辦法都可以減小開(kāi)關(guān)損失。

3.MOS管驅動(dòng)

跟雙極性晶體管相比，一般認為使MOS管導通不需要電流，只要GS電壓高于一定的值，就可以了。這個(gè)很容易做到，但是，我們還需要速度。 在MOS管的結構中可以看到，在GS，GD之間存在寄生電容，而MOS管的驅動(dòng)，實(shí)際上就是對電容的充放電。對電容的充電需要一個(gè)電流，因為對電容充電瞬間可以把電容看成短路，所以瞬間電流會(huì )比較大。選擇/設計MOS管驅動(dòng)時(shí)第一要注意的是可提供瞬間短路電流的大小。

第二注意的是，普遍用于高端驅動(dòng)的NMOS，導通時(shí)需要是柵極電壓大于源極電壓。而高端驅動(dòng)的MOS管導通時(shí)源極電壓與漏極電壓（VCC）相同，所以這時(shí)柵極電壓要比VCC大4V或10V。如果在同一個(gè)系統里，要得到比VCC大的電壓，就要專(zhuān)門(mén)的升壓電路了。很多馬達驅動(dòng)器都集成了電荷泵，要注意的是應該選擇合適的外接電容，以得到足夠的短路電流去驅動(dòng)MOS管。

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