下面以圖10中電機控制電路來(lái)說(shuō)明米勒效應對MOSFET開(kāi)通關(guān)斷過(guò)程的影響。在圖10控...下面以圖10中電機控制電路來(lái)說(shuō)明米勒效應對MOSFET開(kāi)通關(guān)斷過(guò)程的影響。在圖10控制電路中,上管導通時(shí),VDD通過(guò)Q1、Q4對電機進(jìn)行勵磁;上管關(guān)斷時(shí),電機通過(guò)Q4、Q3...
MOSFET的dv/dt是指開(kāi)關(guān)瞬態(tài)過(guò)程中漏極-源極電壓的變化率。如果dv/dt太大,可能...MOSFET的dv/dt是指開(kāi)關(guān)瞬態(tài)過(guò)程中漏極-源極電壓的變化率。如果dv/dt太大,可能發(fā)生振鈴,進(jìn)而可能導致MOSFET損壞。
dv/dt失效是由于MOSFET關(guān)斷時(shí)流經(jīng)寄生電容Cds的瞬態(tài)充電電流流過(guò)基極電阻RB,導...dv/dt失效是由于MOSFET關(guān)斷時(shí)流經(jīng)寄生電容Cds的瞬態(tài)充電電流流過(guò)基極電阻RB,導致寄生雙極晶體管的基極和發(fā)射極之間產(chǎn)生電位差vBE,使寄生雙極晶體管導通,引起短...
雙脈沖測試是廣泛應用于MOSFET和IGBT等功率開(kāi)關(guān)元件特性評估的一種測試方法。該...雙脈沖測試是廣泛應用于MOSFET和IGBT等功率開(kāi)關(guān)元件特性評估的一種測試方法。該測試不僅可以評估對象元件的開(kāi)關(guān)特性,還可以評估體二極管和IGBT一同使用的快速恢復...
下面電路就是利用一顆N溝道MOS管來(lái)實(shí)現上電瞬間輸出高電壓,核心板啟動(dòng)之后,輸...下面電路就是利用一顆N溝道MOS管來(lái)實(shí)現上電瞬間輸出高電壓,核心板啟動(dòng)之后,輸出低電壓:
作為放大器,其最重要的功能就是在大信號的支持下且保證一定精度時(shí)強調對小信號...作為放大器,其最重要的功能就是在大信號的支持下且保證一定精度時(shí)強調對小信號的增益。本文介紹一個(gè)公式(未必完全通用,但一定滿(mǎn)足本文介紹的四種放大器)并加以...