采用先進(jìn)的耐壓原理和優(yōu)化的設計結構,全新600~900V ?SJ-MOS Ⅱ系列產(chǎn)品為系統...采用先進(jìn)的耐壓原理和優(yōu)化的設計結構,全新600~900V ?SJ-MOS Ⅱ系列產(chǎn)品為系統應用提供充足的耐壓余量,簡(jiǎn)化系統設計難度,提高系統可靠性,滿(mǎn)足客戶(hù)對高耐壓、低...
為了滿(mǎn)足嚴格的最新效率規范(能源之星、80Plus、歐洲能源效率)的要求,電源設...為了滿(mǎn)足嚴格的最新效率規范(能源之星、80Plus、歐洲能源效率)的要求,電源設計者必須考慮使用新型功率轉換器拓撲和效率更高的電子元件,例如高壓碳化硅(SiC)...
近些年來(lái),隨著(zhù)節能意識幾乎在所有的領(lǐng)域持續高漲,在高電壓工業(yè)設備領(lǐng)域中,可...近些年來(lái),隨著(zhù)節能意識幾乎在所有的領(lǐng)域持續高漲,在高電壓工業(yè)設備領(lǐng)域中,可實(shí)現節能并支持高電壓的功率半導體和電源IC應用也越來(lái)越廣泛。其中,與現有的Si功率...
KIA半導體將參展2016慕尼黑上海電子展 2016年3月15-17日 E2-2712KIA半導體將參展2016慕尼黑上海電子展 2016年3月15-17日 E2-2712
Si MOSFET管因為其輸入阻抗高,隨著(zhù)其反向耐壓的提高,通態(tài)電阻也急劇上升,從...Si MOSFET管因為其輸入阻抗高,隨著(zhù)其反向耐壓的提高,通態(tài)電阻也急劇上升,從而限制了其在高壓場(chǎng)合的應用。SiC作為一種寬禁代半導體器件,具有飽和電子漂移速度高...
太陽(yáng)能發(fā)電現在是全球最有出資前景的熱點(diǎn)商場(chǎng)之一。歐盟現在是全球光伏發(fā)電量最...太陽(yáng)能發(fā)電現在是全球最有出資前景的熱點(diǎn)商場(chǎng)之一。歐盟現在是全球光伏發(fā)電量最大的區域。在2008年,這個(gè)區域占全球光伏發(fā)電量的80%。歐盟估計在2020年,太陽(yáng)能光...