在推挽式驅動(dòng)結構中,當互補MOSFET開(kāi)啟時(shí),正常情況下漏極電壓會(huì )升至直流電源電...在推挽式驅動(dòng)結構中,當互補MOSFET開(kāi)啟時(shí),正常情況下漏極電壓會(huì )升至直流電源電壓的兩倍(或者本例中的30V)。然而,如圖1所示,尖峰電壓卻高達54V。在MOSFET關(guān)閉以...
為了降低開(kāi)關(guān)節點(diǎn)產(chǎn)生的尖峰電壓,可考慮增加RC緩沖電路。在下面的示例中,整流...為了降低開(kāi)關(guān)節點(diǎn)產(chǎn)生的尖峰電壓,可考慮增加RC緩沖電路。在下面的示例中,整流二極管關(guān)斷(高邊開(kāi)關(guān)導通)時(shí),RC緩沖電路可將二極管的接合部、寄生電感、寄生電容...
保證開(kāi)關(guān)管在開(kāi)、關(guān)過(guò)程中du/dt、di/dt足夠小,限制開(kāi)關(guān)管上的電壓或電流峰值,...保證開(kāi)關(guān)管在開(kāi)、關(guān)過(guò)程中du/dt、di/dt足夠小,限制開(kāi)關(guān)管上的電壓或電流峰值,從而保證開(kāi)關(guān)管正確可靠地運行;并降低EMI的水平。
MOSFET的電流增益特征頻率fT,用于表征MOSFET的電流放大的最高工作頻率。MOSFET的電流增益特征頻率fT,用于表征MOSFET的電流放大的最高工作頻率。
首先在原理圖中放上器件,以NMOS為例子,同時(shí)分別設置好NMOS溝道長(cháng)度和寬度,還...首先在原理圖中放上器件,以NMOS為例子,同時(shí)分別設置好NMOS溝道長(cháng)度和寬度,還有將對應器件電壓也設置成變量,設成變量方面后面仿真條件下修改參數。
RDS(on) =2.2mΩ(typ.) @ VGS =10V 先進(jìn)的溝槽技術(shù) 低柵電荷 高電流能力 ...RDS(on) =2.2mΩ(typ.) @ VGS =10V 先進(jìn)的溝槽技術(shù) 低柵電荷 高電流能力 符合RoHS和無(wú)鹵素標準