MOSFET沒(méi)有存儲時(shí)間 ,只存一個(gè)關(guān)斷延遲時(shí)間 。關(guān)斷延遲時(shí)間是柵極電壓從最高電...MOSFET沒(méi)有存儲時(shí)間 ,只存一個(gè)關(guān)斷延遲時(shí)間 。關(guān)斷延遲時(shí)間是柵極電壓從最高電壓(約為OV ) 下降到電壓 Vd1 圖 9.3 b所需的時(shí)間 。在這個(gè)時(shí)間段內漏極電流保持不...
MOSFET 管還有N個(gè)方法 ,就是設它的最大結點(diǎn)溫度一一比如說(shuō)可以將其設為 100℃...MOSFET 管還有N個(gè)方法 ,就是設它的最大結點(diǎn)溫度一一比如說(shuō)可以將其設為 100℃。然后假設一個(gè)合理的較低的 MOSFET 管結點(diǎn)到外殼的溫升 ( 這樣就小需里太低的外 殼...
導通瞬間基極過(guò)驅動(dòng)峰值輸入電流/bl為了保證迅速導通集電極電流,需要有一個(gè)持...導通瞬間基極過(guò)驅動(dòng)峰值輸入電流/bl為了保證迅速導通集電極電流,需要有一個(gè)持續時(shí)間很短且峰值約為導通期間平均值2~3倍的基極尖峰電流供給基極。該尖峰的持續時(shí)...
開(kāi)關(guān)電源發(fā)生過(guò)電壓、過(guò)電流短路時(shí),保護電路使開(kāi)關(guān)電源停止工作以保護負載和電...開(kāi)關(guān)電源發(fā)生過(guò)電壓、過(guò)電流短路時(shí),保護電路使開(kāi)關(guān)電源停止工作以保護負載和電源本身。 線(xiàn)性電源一般是將輸出電壓取樣后與參考電壓起送入比較電壓放大器,此電壓...
①由于高壓MOSFETPWM及驅動(dòng)電路等集成在一個(gè)芯片里,大大提高了電路的集成度,...①由于高壓MOSFETPWM及驅動(dòng)電路等集成在一個(gè)芯片里,大大提高了電路的集成度,所以用該芯片設計的開(kāi)關(guān)電源,外接元器件少,可降低成本,縮小體積,提高可靠性;②...
它們大多應用于低功 率場(chǎng)合 ,這些電路通過(guò)各種方法來(lái)達到以 F兩個(gè)目標 :①用...它們大多應用于低功 率場(chǎng)合 ,這些電路通過(guò)各種方法來(lái)達到以 F兩個(gè)目標 :①用最少的元器件獲得反向基極電壓和反向基極電流,或者在關(guān)斷和導通的過(guò)相巾將基極和發(fā)...