MOS二極管的能帶圖,我們由夾在獨立金屬與獨立半導體間的氧化層夾心結構開(kāi)始[圖...MOS二極管的能帶圖,我們由夾在獨立金屬與獨立半導體間的氧化層夾心結構開(kāi)始[圖6.9(a)].在此獨立的狀態(tài)下,所有的能帶均保持水平,此為平帶狀況.在熱平衡狀態(tài)下...
MOS二極管在半導體器件在物理中占有極其重要的地位,因為它是研究半導體表面特...MOS二極管在半導體器件在物理中占有極其重要的地位,因為它是研究半導體表面特性最有用的器件之一.在實(shí)際應用中.它是先進(jìn)集成電路中最重要的MOSFFT器件的樞紐....
由于在柵極與半導體之間有絕緣二氧化硅的關(guān)系,MOS器件的輸入阻抗非常高,此一...由于在柵極與半導體之間有絕緣二氧化硅的關(guān)系,MOS器件的輸入阻抗非常高,此一特色使MOSFET在功率器件的應用相當引人注目,因為高輸入阻抗的關(guān)系,柵極漏電流非常...
在CMOS應用中能同時(shí)將p溝道與n溝道MOSFET制作在同一片芯片上.需要額外的摻雜及...在CMOS應用中能同時(shí)將p溝道與n溝道MOSFET制作在同一片芯片上.需要額外的摻雜及擴散步驟,以便在襯底中形成“阱”或“盆(tub)”.阱中的摻雜種類(lèi)與周?chē)r底不同....
單片MOS開(kāi)關(guān)電源的典型應用電路如圖1-13所示。由于單端反激式開(kāi)關(guān)電源電路簡(jiǎn)單...單片MOS開(kāi)關(guān)電源的典型應用電路如圖1-13所示。由于單端反激式開(kāi)關(guān)電源電路簡(jiǎn)單、所用元件少,輸出與輸人間有電氣隔離,能方便地實(shí)現多路輸出,開(kāi)關(guān)管驅動(dòng)簡(jiǎn)單,所...
線(xiàn)性電源的動(dòng)態(tài)響應非常快,穩壓性能好,只可惜其功率轉換效率太低。要想提高效...線(xiàn)性電源的動(dòng)態(tài)響應非常快,穩壓性能好,只可惜其功率轉換效率太低。要想提高效率,就必須使圖 1-2中的功率調整器件(即調整管)處于開(kāi)關(guān)上作狀態(tài),再對圖1-2所示...