本次內容主要針對內置電源調制器的高壓驅動(dòng)芯片。假定芯片耗費的電流為2mA,30...本次內容主要針對內置電源調制器的高壓驅動(dòng)芯片。假定芯片耗費的電流為2mA,300V的電壓加在芯片上面,芯片的功耗為0.6W,當然會(huì )惹起芯片的發(fā)熱。驅動(dòng)芯片的最大電...
MOS管是金屬(metal)—氧化物(oxide)—半導體(semiconductor)場(chǎng)效應晶體管,或者...MOS管是金屬(metal)—氧化物(oxide)—半導體(semiconductor)場(chǎng)效應晶體管,或者稱(chēng)是金屬—絕緣體(insulator)—半導體。MOS管的source和drain是能夠對調的,他們都...
(1)可以快速恢復,以滿(mǎn)足越來(lái)越高的速度需求。以開(kāi)戰電源為例,采用雙極型晶體...(1)可以快速恢復,以滿(mǎn)足越來(lái)越高的速度需求。以開(kāi)戰電源為例,采用雙極型晶體管n寸-速度能夠到達幾十千赫茲;運用MOSFET和ICBT時(shí),速度能夠到達幾百千赫茲;而采...
MOSFET的中文稱(chēng)號是金屬氧化物半導體場(chǎng)效應晶體管,也叫絕緣柵場(chǎng)效應晶體管,縮...MOSFET的中文稱(chēng)號是金屬氧化物半導體場(chǎng)效應晶體管,也叫絕緣柵場(chǎng)效應晶體管,縮寫(xiě)為MOSFET,簡(jiǎn)稱(chēng)MOS管。功率MOSFET是一類(lèi)導電溝道槽結構特殊的場(chǎng)效應管,它是繼MO...
CMOS反相墨為CMOS邏輯電路的基本單元.在CMOS反相器中,p與n溝道晶體管的柵極銜...CMOS反相墨為CMOS邏輯電路的基本單元.在CMOS反相器中,p與n溝道晶體管的柵極銜接在一同,并作為此反相器的輸入端,而此二晶體管的漏極也連接在一同,并作為反相器...
CMOS反相器,上方PMOS的柵極與下方NMOS的柵極相連,兩種器件皆為加強型MOSFET;...CMOS反相器,上方PMOS的柵極與下方NMOS的柵極相連,兩種器件皆為加強型MOSFET;對PMOS器件而言,閾值電壓VTn小于零,而對NMOS器件而言,閾值電壓VTn大于零(通常閾...