?KNX2906B 60V130A HY3306參數(shù)代換-產(chǎn)品描述 該功率MOSFET采用KIA的先進技術...?KNX2906B 60V130A HY3306參數(shù)代換-產(chǎn)品描述 該功率MOSFET采用KIA的先進技術生產(chǎn)。該技術使功率MOSFET具有更好的特性,包括快速開關時間,低導通電阻,低柵電荷...
region:MOS管的工作區(qū)域,可能值為 0~4,分別對應:0: 關斷;1: 線性區(qū);2:...region:MOS管的工作區(qū)域,可能值為 0~4,分別對應:0: 關斷;1: 線性區(qū);2: 飽和區(qū);3: 亞閾值區(qū);4: 擊穿
MOS管有如下參數(shù): Operating Junction :Tmin-Tmax。 Continuous Drain Cur...MOS管有如下參數(shù): Operating Junction :Tmin-Tmax。 Continuous Drain Current(Rjc):I(T=Tc)。 Power Dissipation(Rjc):P(T=Tc)。 THERMAL RESISTA...
KIA MOS管-KCX2704A:40V 150A KCX2704A是由國內(nèi)專注研發(fā)的優(yōu)質(zhì)MOS管廠家生產(chǎn)。...KIA MOS管-KCX2704A:40V 150A KCX2704A是由國內(nèi)專注研發(fā)的優(yōu)質(zhì)MOS管廠家生產(chǎn)。KCX2704A是一款SGT工藝產(chǎn)品,是使用LVMOS技術生產(chǎn)的N溝道增強型功率MOSFET。改進的...
我們知道采用PNP管子作為開關管的飽和壓降在0~0.3V,這在低電路上是不可接受的...我們知道采用PNP管子作為開關管的飽和壓降在0~0.3V,這在低電路上是不可接受的。3.3V的控制電源最大誤差變成3V,某些1.5V的電源變成1.2V,這會導致由此供電的芯片...
3401場效應管漏源電壓-30V,漏極電流為-4A,采用先進的溝槽技術,提供優(yōu)良的RD...3401場效應管漏源電壓-30V,漏極電流為-4A,采用先進的溝槽技術,提供優(yōu)良的RDS(on),低柵極電荷工作電壓低至2.5V。3401場效應管-30V -4A適用于作為負載開關或PWM...