MOSFET按比例減少MOSFET尺寸的縮減在一開(kāi)端即為一持續的趨向.在集成電路中,較...MOSFET按比例減少MOSFET尺寸的縮減在一開(kāi)端即為一持續的趨向.在集成電路中,較小的器件尺寸可到達較高的器件密度,此外,較短的溝道長(cháng)度町改善驅動(dòng)電流(ID~1/L)...
當溝道的邊緣效應變得不可疏忽時(shí),隨著(zhù)溝道的縮減,n溝道MOSFET的閾值電壓通常...當溝道的邊緣效應變得不可疏忽時(shí),隨著(zhù)溝道的縮減,n溝道MOSFET的閾值電壓通常會(huì )變得不像原先那么正,而關(guān)于p溝道MOSFET而言,則不像原先那么負,圖6.23顯現了在V...
功率開(kāi)關(guān)器件在電力電子設備中占領(lǐng)著(zhù)中心位置,它的牢靠工作是整個(gè)安裝正常運轉...功率開(kāi)關(guān)器件在電力電子設備中占領(lǐng)著(zhù)中心位置,它的牢靠工作是整個(gè)安裝正常運轉的根本條件。功率開(kāi)關(guān)器件的驅動(dòng)電路是主電路與控制電路之間的接口,是電力電子安裝...
在CMOS中,阱可為單阱(single well)、雙阱(twin well)或是倒退阱(retrograde w...在CMOS中,阱可為單阱(single well)、雙阱(twin well)或是倒退阱(retrograde well).雙阱工藝有一些缺陷,如需高溫工藝(超越1 050℃)及長(cháng)擴散時(shí)間(超越8h)來(lái)到...
為了構成集成電路電阻,可以淀積一層具有阻值的薄膜在硅襯底上,然后運用圖形曝...為了構成集成電路電阻,可以淀積一層具有阻值的薄膜在硅襯底上,然后運用圖形曝光技術(shù)和刻蝕定出其圖樣,也可以在生長(cháng)于硅襯底上的熱氧化層上開(kāi)窗,然后寫(xiě)入(或是...
場(chǎng)效應管晶體管工作原理場(chǎng)效應管晶體管工作原理