如圖所示為N溝道VDMOSFFT與GTR組合的N溝道IGBT(N-IGBT)的內部結構斷面示意圖。...如圖所示為N溝道VDMOSFFT與GTR組合的N溝道IGBT(N-IGBT)的內部結構斷面示意圖。IGBT比VDMOSFET多一層P+注入區,形成丁一個(gè)大面積的PN結J1。由于IGBT導通時(shí)由P+注入...
絕緣柵雙極型晶體管的原理,分類(lèi),優(yōu)勢與缺點(diǎn)絕緣柵雙極型晶體管的原理,分類(lèi),優(yōu)勢與缺點(diǎn)
場(chǎng)效應管場(chǎng)效應管是應用電場(chǎng)效應來(lái)控制電流變化的放大元件。它與晶體管相比,具...場(chǎng)效應管場(chǎng)效應管是應用電場(chǎng)效應來(lái)控制電流變化的放大元件。它與晶體管相比,具有輸入阻高、噪聲低、熱穩定性好等優(yōu)點(diǎn),因此得到了疾速開(kāi)展與應用。場(chǎng)效應管與晶體...
(1)MOS管是電壓控制元件,而三極管是電流控制元件。在只允許從信號源取較少電流...(1)MOS管是電壓控制元件,而三極管是電流控制元件。在只允許從信號源取較少電流的狀況下,應選用MOS管;而在信號電壓較低,又允許從信號源取較多電流的條件下,應選...
場(chǎng)效應管是只要一種載流子參與導電,用輸入電壓控制輸出電流的半導體器件。有N...場(chǎng)效應管是只要一種載流子參與導電,用輸入電壓控制輸出電流的半導體器件。有N溝道器件和P溝道器件。有結型場(chǎng)效應三極管JFET(Junction Field Effect Transister)和...
mos在控制器電路中的工作狀態(tài):開(kāi)經(jīng)過(guò)程(由截止到導通的過(guò)渡過(guò)程)、導通狀態(tài)...mos在控制器電路中的工作狀態(tài):開(kāi)經(jīng)過(guò)程(由截止到導通的過(guò)渡過(guò)程)、導通狀態(tài)、關(guān)斷過(guò)程(由導通到截止的過(guò)渡過(guò)程)、截止狀態(tài)。Mos主要損耗也對應這幾個(gè)狀態(tài),開(kāi)...