MOS(Complementary Metal-Oxide-Semiconductor Transistor,互補型金屬氧化物半...MOS(Complementary Metal-Oxide-Semiconductor Transistor,互補型金屬氧化物半導體)是目前比擬成熟的半導休集成下藝之一,能夠了解為集成電路中的橫向構造MOSFET...
HEXMOS與管芯構造 為了增加水龍頭的流量,水龍頭能夠將口徑做得很大,這時(shí)分...HEXMOS與管芯構造 為了增加水龍頭的流量,水龍頭能夠將口徑做得很大,這時(shí)分的水龍頭一般稱(chēng)為“閥門(mén)”,當然也能夠用多個(gè)小口徑的水龍頭來(lái)替代,只是工程上很少...
目前大致有兩種辦法,一種是用兩個(gè)相同的半導體構建柵區,這兩個(gè)柵區就像水龍頭...目前大致有兩種辦法,一種是用兩個(gè)相同的半導體構建柵區,這兩個(gè)柵區就像水龍頭的閥芯與閥座,所不同的是,閥座是固定的,而兩個(gè)柵區都是“挪動(dòng)”的,即兩個(gè)柵區同...
場(chǎng)效應管只靠“多子”米導電,換言之,只靠一種極性的載流子導電;而B(niǎo)JT(雙極...場(chǎng)效應管只靠“多子”米導電,換言之,只靠一種極性的載流子導電;而B(niǎo)JT(雙極性晶體管)則同時(shí)靠“多子”和與之極性相反的“少子”停止導電,因而場(chǎng)效應管屬于單...
材料的導電性是由材料中的自由電子(Extra electron)的數量決定的。從能量的角度...材料的導電性是由材料中的自由電子(Extra electron)的數量決定的。從能量的角度來(lái)看,自由電子的能量比較高,因此往外力的作用下(電場(chǎng)等)可以自由移動(dòng),如果將它...
DGMOSFET(Dual gate MOSFET,雙柵極MOSFET)是一種有兩個(gè)柵極的四端器件,兩個(gè)...DGMOSFET(Dual gate MOSFET,雙柵極MOSFET)是一種有兩個(gè)柵極的四端器件,兩個(gè)柵極都可以對溝道進(jìn)行控制,目的是為了控制的便利性與獨立性,尤其是有兩個(gè)控制量的...