用萬(wàn)用表判別KIA器件VMOS的引腳和好壞判別VMOS的引腳需求以下幾步,請留意,這...用萬(wàn)用表判別KIA器件VMOS的引腳和好壞判別VMOS的引腳需求以下幾步,請留意,這是在你能肯定VMOS完好的狀況下停止的判別,假如不曉得它的好壞,請先參考本節內容的...
KIA封裝小型化的趨向小僅僅是為了順應輕薄產(chǎn)品的需求,更為重要的是進(jìn)步性?xún)r(jià)比...KIA封裝小型化的趨向小僅僅是為了順應輕薄產(chǎn)品的需求,更為重要的是進(jìn)步性?xún)r(jià)比:封裝本錢(qián)、物流(重量輕了、體積小了)、熱阻、EMI(引線(xiàn)電感減小了)均有降落的趨...
客戶(hù)的目光通常和你的目光是完整不一樣,沒(méi)經(jīng)歷根底的話(huà)只能讓客戶(hù)幫我們選款,...客戶(hù)的目光通常和你的目光是完整不一樣,沒(méi)經(jīng)歷根底的話(huà)只能讓客戶(hù)幫我們選款,不能本人武斷決議。一款好的產(chǎn)品或好的樣式假如不能得到市場(chǎng)的認可
槽柵構造有利于進(jìn)步電流控制才能,但是結電容大,不利于工作頻率的提高。將平而...槽柵構造有利于進(jìn)步電流控制才能,但是結電容大,不利于工作頻率的提高。將平而柵極構造與雙擴散有機分離起來(lái),就LDMOS(Lateral DoubleDiffuse MOSFET,橫向雙擴散...
常用場(chǎng)效應管主要有結型場(chǎng)效應管、耗盡型絕緣柵場(chǎng)效應管、加強型絕緣柵場(chǎng)效應管...常用場(chǎng)效應管主要有結型場(chǎng)效應管、耗盡型絕緣柵場(chǎng)效應管、加強型絕緣柵場(chǎng)效應管、雙柵場(chǎng)效應管、功率場(chǎng)效應管等。
對于VMOS而言,柵極懸空無(wú)論是何種條件下都是應該盡量避免的,稍有不慎,就會(huì )導...對于VMOS而言,柵極懸空無(wú)論是何種條件下都是應該盡量避免的,稍有不慎,就會(huì )導致VMOS擊穿損壞。這時(shí)候的擊穿一般是柵極與源極擊穿,而不管源極、漏極間的電壓是高...