集成化的柵極驅動(dòng)器件 ?? ?在理論上,集成化的柵極驅動(dòng)器件的應用更為...集成化的柵極驅動(dòng)器件 ?? ?在理論上,集成化的柵極驅動(dòng)器件的應用更為普遍。用于VMOS驅動(dòng)的集成化器件大致有圖5. 84所示的幾類(lèi),它們的基本特性如表5.9所...
早期的功率MOSFET常常會(huì )由于漏-源極的電流或者電壓的變化速率太快而失控,或者...早期的功率MOSFET常常會(huì )由于漏-源極的電流或者電壓的變化速率太快而失控,或者形成漏-源極的擊穿損壞。而在大功率的高速開(kāi)關(guān)電路中,純阻性負載是很少見(jiàn)的,即便外...
你要想一個(gè)問(wèn)題:現在淘寶越來(lái)越嚴格,將來(lái)淘寶的流量為什么要給你?一定是你可...你要想一個(gè)問(wèn)題:現在淘寶越來(lái)越嚴格,將來(lái)淘寶的流量為什么要給你?一定是你可以發(fā)明最大的流量?jì)r(jià)值,也就是說(shuō),流量進(jìn)到你的店鋪后,你的轉化率、客單價(jià)都是優(yōu)秀...
就VMOS的開(kāi)關(guān)而言,分布參數的主要要素是結電容,其他影響要素還包括引線(xiàn)、端電...就VMOS的開(kāi)關(guān)而言,分布參數的主要要素是結電容,其他影響要素還包括引線(xiàn)、端電極、PN結、管芯本體(基區)的等效分布電容和分布電感,工作頻率越高,上述“其他要...
CMOS器件具有宏大市場(chǎng)的最大理由就是功率耗費低。正如將CMOS反相器電路(圖10....CMOS器件具有宏大市場(chǎng)的最大理由就是功率耗費低。正如將CMOS反相器電路(圖10.4)置換為等效電路(圖10.5)時(shí)所看到的那樣,不管輸入的信號是“L”電平還是“H”電...
4個(gè)MOS晶體管,所以如式(7.2)所示的那樣,在飽和區下作的MOS晶體管的柵極源極之...4個(gè)MOS晶體管,所以如式(7.2)所示的那樣,在飽和區下作的MOS晶體管的柵極源極之間的閾值電壓VT上必需加額外的電壓△ov。圖7.4所示的柵源電流源電路中,處于監視側...