MOS管導通時(shí),Rds會(huì )從無(wú)窮大將至Rds(on)(一般0.1歐姆級或者更低)。柵極電阻過(guò)大...MOS管導通時(shí),Rds會(huì )從無(wú)窮大將至Rds(on)(一般0.1歐姆級或者更低)。柵極電阻過(guò)大時(shí),MOS管導通速度過(guò)慢,即Rds的減小要經(jīng)過(guò)一段時(shí)間,高壓時(shí)Rds會(huì )消耗大量功率,導...
KIA12N65H N溝道增強型MOSFET;12N65參數650V12A;12N65引腳TO-220F;12N65場(chǎng)效...KIA12N65H N溝道增強型MOSFET;12N65參數650V12A;12N65引腳TO-220F;12N65場(chǎng)效應管中文資料規格書(shū)12N65引腳圖
這些N溝道增強模式的功率場(chǎng)效應晶體管是用KIA半導體制造的專(zhuān)有、平面、DMOS技術(shù)...這些N溝道增強模式的功率場(chǎng)效應晶體管是用KIA半導體制造的專(zhuān)有、平面、DMOS技術(shù)。這項先進(jìn)的技術(shù)經(jīng)過(guò)了特別的調整,以使其最小化通態(tài)電阻,提供優(yōu)越的開(kāi)關(guān)性能,并...
MOSFET的失效很多都是由于過(guò)熱導致的,那么在選件選型,電路設計及PCB布局時(shí)就...MOSFET的失效很多都是由于過(guò)熱導致的,那么在選件選型,電路設計及PCB布局時(shí)就要格外注意應用情況和設計余量,確保MOSFET的Tj不會(huì )超過(guò)其最大值。
總功率損耗Ptot的定義是:在焊接襯底溫度維持在25℃時(shí),器件達到最大結點(diǎn)溫度時(shí)...總功率損耗Ptot的定義是:在焊接襯底溫度維持在25℃時(shí),器件達到最大結點(diǎn)溫度時(shí)所用的功率。可以用公式Tj=Tmb+Rth_j-mb*Ptot來(lái)表達,節點(diǎn)溫度才是最終的MOSFET是否...
如果可以把電流始終限制在I_SET以下,可以去掉限流電阻,讓電流保持略小于I_SE...如果可以把電流始終限制在I_SET以下,可以去掉限流電阻,讓電流保持略小于I_SET,快速充電。如下圖,電流曲線(xiàn)的積分為V_CL,左右兩圖的陰影面積大小相同,可以看出...