MOSFET具備控制功率小、開(kāi)關(guān)速度快的特點(diǎn),廣泛應用于低中高壓的電路中,是功率...MOSFET具備控制功率小、開(kāi)關(guān)速度快的特點(diǎn),廣泛應用于低中高壓的電路中,是功率半導體的基礎器件。MOSFET是汽車(chē)電子中的核心元件,汽車(chē)引擎、驅動(dòng)系統中的變速箱控...
變頻器也稱(chēng)為變頻驅動(dòng)器或驅動(dòng)控制器,是可調速驅動(dòng)系統的一種,是應用變頻驅動(dòng)...變頻器也稱(chēng)為變頻驅動(dòng)器或驅動(dòng)控制器,是可調速驅動(dòng)系統的一種,是應用變頻驅動(dòng)技術(shù)改變交流電動(dòng)機工作電壓的頻率和幅度,來(lái)平滑控制交流電動(dòng)機速度及轉矩。
根據失效的部位不同,可將IGBT失效分為芯片失效和封裝失效兩類(lèi)。引發(fā)IGBT芯片失...根據失效的部位不同,可將IGBT失效分為芯片失效和封裝失效兩類(lèi)。引發(fā)IGBT芯片失效的原因有很多,如電源或負載波動(dòng)、驅動(dòng)或控制電路故障、散熱裝置故障、線(xiàn)路短路等...
雖然芯片都是硅基,但是摻雜的材質(zhì)是不同,使得N溝道MOS管是通過(guò)電子形成電流溝...雖然芯片都是硅基,但是摻雜的材質(zhì)是不同,使得N溝道MOS管是通過(guò)電子形成電流溝道;P溝道MOS管是用空穴流作為載流子。
?KNX2906B 60V130A HY3306參數代換-產(chǎn)品描述 該功率MOSFET采用KIA的先進(jìn)技術(shù)...?KNX2906B 60V130A HY3306參數代換-產(chǎn)品描述 該功率MOSFET采用KIA的先進(jìn)技術(shù)生產(chǎn)。該技術(shù)使功率MOSFET具有更好的特性,包括快速開(kāi)關(guān)時(shí)間,低導通電阻,低柵電荷...
region:MOS管的工作區域,可能值為 0~4,分別對應:0: 關(guān)斷;1: 線(xiàn)性區;2:...region:MOS管的工作區域,可能值為 0~4,分別對應:0: 關(guān)斷;1: 線(xiàn)性區;2: 飽和區;3: 亞閾值區;4: 擊穿