KPD8610A是一款P溝道MOSFET,采用先進(jìn)的高密度溝槽技術(shù),漏源擊穿電壓-100V,漏...KPD8610A是一款P溝道MOSFET,采用先進(jìn)的高密度溝槽技術(shù),漏源擊穿電壓-100V,漏極電流-35A,RDS(on)=42mΩ(typ)@VGS=10V,具有超低柵電荷、優(yōu)異的cdv/dt效應(yīng)降低等...
NCE01P30K代換場效應(yīng)管KIA35P10A是一款電機(jī)驅(qū)動專用MOS管,采用先進(jìn)的溝槽MOSF...NCE01P30K代換場效應(yīng)管KIA35P10A是一款電機(jī)驅(qū)動專用MOS管,采用先進(jìn)的溝槽MOSFET技術(shù),提供出色的RDS(ON)和柵極電荷。KIA35P10A漏源擊穿電壓-100V, 漏極電流-35...
nce01p18k參數(shù)代換KIA23P10A場效應(yīng)管漏源擊穿電壓-100V,漏極電流為-23A,RDS(...nce01p18k參數(shù)代換KIA23P10A場效應(yīng)管漏源擊穿電壓-100V,漏極電流為-23A,RDS(ON)=78mΩ(典型值)@ VGS=10v;KIA23P10A采用先進(jìn)的溝槽MOSFET技術(shù),提供出色的R...
NCE80H16代換KIA2808A場效應(yīng)管漏源擊穿電壓80V,漏極電流為150A,RDS(ON)=4....NCE80H16代換KIA2808A場效應(yīng)管漏源擊穿電壓80V,漏極電流為150A,RDS(ON)=4.0mΩ(典型值)@ VGS=10v;KIA2808A場效應(yīng)管具有100%雪崩測試,無鉛和綠色設(shè)備可用(...
ru6888r場效應(yīng)管代換KNX3508A場效應(yīng)管漏源擊穿電壓80V,漏極電流為70A,RDS(O...ru6888r場效應(yīng)管代換KNX3508A場效應(yīng)管漏源擊穿電壓80V,漏極電流為70A,RDS(ON)=7.5mΩ(典型值)@ VGS=10v;KNX3508A 80V 70A場效應(yīng)管具有100%雪崩測試,可靠、...
KIA2807N場效應(yīng)管漏源擊穿電壓75V,漏極電流為150A,RDS(on)=5.0mΩ @VGS= 10V...KIA2807N場效應(yīng)管漏源擊穿電壓75V,漏極電流為150A,RDS(on)=5.0mΩ @VGS= 10V;KIA2807N 75V 150A采用超高密度電池設(shè)計;超低導(dǎo)通電阻、100%雪崩測試、可提供無鉛...