了解MOSFET的損耗組成并對其分析,有利于優(yōu)化MOSFET損耗,提高模塊電源的功率;...了解MOSFET的損耗組成并對其分析,有利于優(yōu)化MOSFET損耗,提高模塊電源的功率;但是一味的減少MOSFET的損耗及其他方面的損耗,反而會(huì )引起更嚴重的EMI問(wèn)題,導致整個(gè)...
硬件電路設計的一般分為設計需求分析、原理圖設計、PCB設計、工藝文件處理等幾...硬件電路設計的一般分為設計需求分析、原理圖設計、PCB設計、工藝文件處理等幾個(gè)階段,設計過(guò)程中的每一個(gè)細節都可能成為導致設計成功與失敗的關(guān)鍵。隨著(zhù)集成電路...
MOS管 FDD8870特征: rDS(ON)=3.9mΩ,VGS=10V,ID=35A rDS(ON)=4.4mΩ,VGS=4....MOS管 FDD8870特征: rDS(ON)=3.9mΩ,VGS=10V,ID=35A rDS(ON)=4.4mΩ,VGS=4.5V,ID=35A 高性能溝槽技術(shù),極低RDS(開(kāi)) 低柵電荷 高功率和電流處理能力
鉭電容是電容器中體積小而又能達到較大電容量的產(chǎn)品,是1956年由美國貝爾實(shí)驗室...鉭電容是電容器中體積小而又能達到較大電容量的產(chǎn)品,是1956年由美國貝爾實(shí)驗室首先研制成功的,它的性能優(yōu)異。鉭電容器外形多種多樣,并制成適于表面貼裝的小型和...
本文介紹電子元件名稱(chēng)大全圖,電子元器件基礎知識,作為一位電子元器件的采購,...本文介紹電子元件名稱(chēng)大全圖,電子元器件基礎知識,作為一位電子元器件的采購,不單單是需要靈活的業(yè)務(wù)能力,還更需要掌握電子元器件的一些硬件的東西。如電子元器...
佛岡 互聯(lián)網(wǎng)體育競技,借鑒體育場(chǎng)館ppp模式,依托場(chǎng)館所在的街道、社區或者商務(wù)...佛岡 互聯(lián)網(wǎng)體育競技,借鑒體育場(chǎng)館ppp模式,依托場(chǎng)館所在的街道、社區或者商務(wù)區,采取“連縱共享”運營(yíng)方式。圖片來(lái)自新浪微博副總裁曹增輝分享的“新浪微博二次...