10N80E參數(shù),10n80參數(shù)引腳圖 漏極電流(ID):10A 漏極和源極電壓(VDSS):...10N80E參數(shù),10n80參數(shù)引腳圖 漏極電流(ID):10A 漏極和源極電壓(VDSS):800V 漏極和源極通態(tài)電阻(RDS(on)):0.85Ω 耗散功率(PD):42W 封裝:TO-220...
廣東可易亞半導體科技有限公司主營半導體產(chǎn)品豐富,是一家國產(chǎn)MOS管廠家。專業(yè)...廣東可易亞半導體科技有限公司主營半導體產(chǎn)品豐富,是一家國產(chǎn)MOS管廠家。專業(yè)從事中、大、功率場效應(yīng)管(MOSFET)、超結(jié)場效應(yīng)管、碳化硅二極管、碳化硅場效應(yīng)管、...
KIA7N80場效應(yīng)管是一款性能出色的電子器件,具有極高的可靠性和穩(wěn)定性,7n80漏...KIA7N80場效應(yīng)管是一款性能出色的電子器件,具有極高的可靠性和穩(wěn)定性,7n80漏極電流7A,漏源擊穿電壓800V,RDS(on)僅為1.4Ω@ VGS=10V,柵極電荷低,僅為27nC,快...
KIA3N80H場效應(yīng)管性能優(yōu)越,漏極電流3A,漏源擊穿電壓高達800V,表現(xiàn)出強大的功...KIA3N80H場效應(yīng)管性能優(yōu)越,漏極電流3A,漏源擊穿電壓高達800V,表現(xiàn)出強大的功率承受能力;在開啟狀態(tài)下,靜態(tài)電阻RDS為4.8?,在柵極電壓為10V時具有穩(wěn)定的電氣...
KIA12N65H場效應(yīng)管漏極電流12A,漏源擊穿電壓650V,RDS(on)為0.63?,在VGS為...KIA12N65H場效應(yīng)管漏極電流12A,漏源擊穿電壓650V,RDS(on)為0.63?,在VGS為10V時表現(xiàn)出色、低柵極電荷,典型值為52nC,使得它在高頻率下仍能表現(xiàn)穩(wěn)定、快速切...
KND3504A場效應(yīng)管,采用了溝槽功率低壓MOSFET技術(shù),漏極電流70A,漏源擊穿電壓...KND3504A場效應(yīng)管,采用了溝槽功率低壓MOSFET技術(shù),漏極電流70A,漏源擊穿電壓40V,具有低導通電阻,典型值為7.0mΩ;出色的散熱封裝和低RDS(ON)的高密度電池設(shè)...