1n60具有1A的電流承受能力和高達(dá)600V的耐壓能力,且在VGS=10伏時的開態(tài)電阻僅為...1n60具有1A的電流承受能力和高達(dá)600V的耐壓能力,且在VGS=10伏時的開態(tài)電阻僅為9.3?,確保穩(wěn)定可靠的性能、低柵極電荷僅為5.0nC,在控制電荷時更加高效、還具備高...
KNX5610A場效應(yīng)管采用高單元密度的先進(jìn)溝槽技術(shù),漏極電流7A,漏源擊穿電壓100...KNX5610A場效應(yīng)管采用高單元密度的先進(jìn)溝槽技術(shù),漏極電流7A,漏源擊穿電壓100V,RDS(ON)=98mΩ(典型值)@VGS=10V,具有優(yōu)異的導(dǎo)通特性;超低柵極電荷,減小開...
碳化硅MOS管KSZ080N120A參數(shù):28A,1200V;RDS(ON)僅為80mΩ,在VGS為20V,T...碳化硅MOS管KSZ080N120A參數(shù):28A,1200V;RDS(ON)僅為80mΩ,在VGS為20V,TJ為25°C時達(dá)到典型值,具有低導(dǎo)通電阻和高阻斷電壓的特點(diǎn);在低電容條件下能實現(xiàn)高...
碳化硅MOS管KSZ040N120A具有60A 1200V的參數(shù)特性,RDS(ON)僅為40mΩ(典型值...碳化硅MOS管KSZ040N120A具有60A 1200V的參數(shù)特性,RDS(ON)僅為40mΩ(典型值)在VGS=20V,TJ=25℃條件下,在高電壓下能夠擁有較低的導(dǎo)通電阻,同時表現(xiàn)出優(yōu)異的...
KPE4703A場效應(yīng)管漏極電流-8A,漏源擊穿電壓-30V,具有優(yōu)異的性能表現(xiàn);導(dǎo)通電...KPE4703A場效應(yīng)管漏極電流-8A,漏源擊穿電壓-30V,具有優(yōu)異的性能表現(xiàn);導(dǎo)通電阻RDS(on)僅為19mΩ,在柵極電壓為10V時;超低的柵極電荷,能夠有效降低電路中的開關(guān)...
KIA9N90場效應(yīng)管是一款性能卓越的功率器件,具有9A的電流承受能力和高達(dá)900V的...KIA9N90場效應(yīng)管是一款性能卓越的功率器件,具有9A的電流承受能力和高達(dá)900V的電壓額定值;RDS(開啟)僅為1.12Ω,在VGS=10 V時表現(xiàn)出色;具有低柵極電荷,典型值...