場(chǎng)效應管引見(jiàn)篇 場(chǎng)效應結晶體管(Field Effect Transistor縮寫(xiě)(FET))職稱(chēng)...場(chǎng)效應管引見(jiàn)篇 場(chǎng)效應結晶體管(Field Effect Transistor縮寫(xiě)(FET))職稱(chēng)場(chǎng)效應管。由少數載流子參加導熱,也稱(chēng)為多極型結晶體管。它歸于電壓掌握型半超導體...
來(lái)自韓國科學(xué)技術(shù)學(xué)院(Korea Advanced Institute of Science and Technology,...來(lái)自韓國科學(xué)技術(shù)學(xué)院(Korea Advanced Institute of Science and Technology,KAIST)的團隊研發(fā)了一種用于場(chǎng)效應晶體管的高性能超薄聚合絕緣體。
KCB3010A是采用先進(jìn)SGT技術(shù)的N溝道增強型功率MOSFET,先進(jìn)的雙溝道技術(shù)降低導通...KCB3010A是采用先進(jìn)SGT技術(shù)的N溝道增強型功率MOSFET,先進(jìn)的雙溝道技術(shù)降低導通損耗、提高開(kāi)關(guān)性能和增強雪崩能量,漏源擊穿電壓100V,漏極電流120A,低導通電阻(...
無(wú)線(xiàn)充專(zhuān)用MOS管KCM9860A是一款高壓器件,漏源擊穿電壓600V,漏極電流47A;具有...無(wú)線(xiàn)充專(zhuān)用MOS管KCM9860A是一款高壓器件,漏源擊穿電壓600V,漏極電流47A;具有堅固的高壓終端、指定雪崩能量、與離散快速恢復二極管相當的源極到漏極恢復時(shí)間、二...
電源適配器mos管KNX6140S是一款N溝道增強型硅柵極功率MOSFET,漏源擊穿電壓400...電源適配器mos管KNX6140S是一款N溝道增強型硅柵極功率MOSFET,漏源擊穿電壓400V,漏極電流11A,RDS(開(kāi)啟)典型值=0.53Ω@VGS=10V,較低的導通電阻,可最大限度地...
調光專(zhuān)用MOS管KIA4603A漏源擊穿電壓30V,漏極電流7A,RDS(開(kāi))=14.5mΩ(典型...調光專(zhuān)用MOS管KIA4603A漏源擊穿電壓30V,漏極電流7A,RDS(開(kāi))=14.5mΩ(典型值)@VGS=10V;具有超低柵極電荷,出色的Cdv/dt效應下降,最大限度地減少導電損耗,...