CMOS模擬開(kāi)關(guān)及其應用-CMOS(互補金屬氧化物半導體)集成電路具有微功耗、使用電...CMOS模擬開(kāi)關(guān)及其應用-CMOS(互補金屬氧化物半導體)集成電路具有微功耗、使用電源電壓范圍寬和抗干擾能力強等特點(diǎn)。其發(fā)展日新月異,應用范圍十分廣泛。下面就MOS場(chǎng)...
反相器是構成邏輯電路的一個(gè)基本要素,無(wú)論是對于恢復邏輯電平的電路、與非門(mén)及...反相器是構成邏輯電路的一個(gè)基本要素,無(wú)論是對于恢復邏輯電平的電路、與非門(mén)及或非門(mén)電路,還是對于各種形式的時(shí)序電路以及存儲器電路,它都是需要的。MOS管反相...
MOS管柵極驅動(dòng)功率與驅動(dòng)過(guò)程:在晶體管家族里,MOS管是柵極電壓驅動(dòng)器件,工作...MOS管柵極驅動(dòng)功率與驅動(dòng)過(guò)程:在晶體管家族里,MOS管是柵極電壓驅動(dòng)器件,工作中并無(wú)直流電流流入柵極,這與基極電流驅動(dòng)的常規雙極晶體管在原理上是完全不同的。...
MOS管等效模型-MOS管相比于三極管,開(kāi)關(guān)速度快,導通電壓低,電壓驅動(dòng)簡(jiǎn)單,所...MOS管等效模型-MOS管相比于三極管,開(kāi)關(guān)速度快,導通電壓低,電壓驅動(dòng)簡(jiǎn)單,所以越來(lái)越受工程師的喜歡,然而,若不當設計,哪怕是小功率MOS管,也會(huì )導致芯片燒壞,...
MOS管KIA9120A,200V40A資料-特性:新平面專(zhuān)利技術(shù),RDS(ON)=50mΩ(typ.)@VGS=...MOS管KIA9120A,200V40A資料-特性:新平面專(zhuān)利技術(shù),RDS(ON)=50mΩ(typ.)@VGS=10V,低門(mén)電荷,減小開(kāi)關(guān)損耗,快速恢復體二極管
無(wú)源器件-電阻:電阻是模擬電路的最基本的元件,在集成電路中有多種設計和制造方...無(wú)源器件-電阻:電阻是模擬電路的最基本的元件,在集成電路中有多種設計和制造方法,并有無(wú)源電阻與有源電阻之分。電阻的大小一般以方塊數來(lái)表示