二極管或MOS管的反向保護電路設計:設計電路時(shí),有時(shí)候會(huì )發(fā)現電路板上的芯片突...二極管或MOS管的反向保護電路設計:設計電路時(shí),有時(shí)候會(huì )發(fā)現電路板上的芯片突然有微微燒焦的氣味,這有可能是反向電流的惡作劇。特別是設計便攜式的電子產(chǎn)品,如...
MOS管基本電路:如圖1,這是N管的最常用的一種電路,N管S端接地,D端接負載。則...MOS管基本電路:如圖1,這是N管的最常用的一種電路,N管S端接地,D端接負載。則當G端信號電壓大于GND+Vgs的時(shí)候,mos開(kāi)啟,當信號電壓小于GND+Vgs時(shí)關(guān)閉。R1電阻使...
MOS管SOA分析-板子上的功率mos管是否能持續安全工作,是設計者最擔心的問(wèn)題。炸...MOS管SOA分析-板子上的功率mos管是否能持續安全工作,是設計者最擔心的問(wèn)題。炸機、用著(zhù)用著(zhù)就壞了、莫名其妙MOS管就炸了,工程師遇到這些真是又怕又恨,可到底是...
KIA20N50,500V20A中文資料-描述:KIA20N50H n通道增強模式硅柵功率MOSFET的設計...KIA20N50,500V20A中文資料-描述:KIA20N50H n通道增強模式硅柵功率MOSFET的設計電壓,,高速開(kāi)關(guān)電源應用,如高效率開(kāi)關(guān)電源;有源功率因數校正。
MOS管死區時(shí)間設置:可在mos管的門(mén)級加上RC延時(shí)開(kāi)啟電路,在電阻上并接二極管實(shí)...MOS管死區時(shí)間設置:可在mos管的門(mén)級加上RC延時(shí)開(kāi)啟電路,在電阻上并接二極管實(shí)現快速關(guān)斷。藍線(xiàn)為輸入,黃線(xiàn)為輸出;左圖為不接電容,有圖為接上電容;兩圖對比可見(jiàn)...
有關(guān)PWM“死區”時(shí)間:PWM是脈寬調制。在電力電子中,最常用的就是整流和逆變,...有關(guān)PWM“死區”時(shí)間:PWM是脈寬調制。在電力電子中,最常用的就是整流和逆變,這就需要用到整流橋和逆變橋。對三相電來(lái)說(shuō),就需要三個(gè)橋臂。以?xún)呻娖綖槔總€(gè)橋...