KNF7650MOS管500V25A參數-特性:高級平面流程,RDS(ON)、(typ.)= 170mΩ@VGS =...KNF7650MOS管500V25A參數-特性:高級平面流程,RDS(ON)、(typ.)= 170mΩ@VGS = 10v,低柵極電荷使開(kāi)關(guān)損耗最小化,堅固的多晶硅柵極結構?
轉移特性曲線(xiàn)如圖1(b)所示, 由于場(chǎng)效應管作放大器件使用時(shí)是工作在飽和區(恒流...轉移特性曲線(xiàn)如圖1(b)所示, 由于場(chǎng)效應管作放大器件使用時(shí)是工作在飽和區(恒流區),此時(shí)iD幾乎不隨VDs而變化,即不同的VDs 所對應的轉移特性曲線(xiàn)幾乎是重合的,所...
三極管驅動(dòng)蜂鳴器:蜂鳴器是我們在電路設計中使用的最常見(jiàn)的一種預警發(fā)聲器件,...三極管驅動(dòng)蜂鳴器:蜂鳴器是我們在電路設計中使用的最常見(jiàn)的一種預警發(fā)聲器件,我們常使三極管的工作于開(kāi)關(guān)狀態(tài)來(lái)驅動(dòng)它。然而越簡(jiǎn)單的電路,很多人在設計時(shí)往往越容...
制作簡(jiǎn)易場(chǎng)效應管檢測儀:場(chǎng)效應管的全稱(chēng)叫做金屬氧化物半導體效應晶體管也稱(chēng)M...制作簡(jiǎn)易場(chǎng)效應管檢測儀:場(chǎng)效應管的全稱(chēng)叫做金屬氧化物半導體效應晶體管也稱(chēng)MOS管。它可以分為N溝道與P溝道兩大類(lèi),P溝道硅MOS場(chǎng)效應晶體管在N型硅襯底上有兩個(gè)P...
模擬電子電路基礎--場(chǎng)效應管:場(chǎng)效應管,是電壓控制器件,不吸收信號源電流,不...模擬電子電路基礎--場(chǎng)效應管:場(chǎng)效應管,是電壓控制器件,不吸收信號源電流,不消耗信號源功率,輸入阻抗高,溫度特性好,抗干擾能力強,便于集成。JFET利用耗盡區...
場(chǎng)效應管替換原則—(只適合主板)?場(chǎng)效應管替換只需大小相同,分清N溝道P溝道即...場(chǎng)效應管替換原則—(只適合主板)?場(chǎng)效應管替換只需大小相同,分清N溝道P溝道即可,功率大的可以代換功率小的,主板的場(chǎng)效應管最好原值代換。