隧穿場(chǎng)效應管介紹:在傳統MOSFET中,載流子從源極越過(guò)pn結勢壘熱注入到溝道中。...隧穿場(chǎng)效應管介紹:在傳統MOSFET中,載流子從源極越過(guò)pn結勢壘熱注入到溝道中。而隧穿場(chǎng)效應晶體管(Tunneling Field-Effect Transistor或者TFET)的工作原理是帶...
逆變器燒場(chǎng)效應管原因:逆變器的場(chǎng)效應管工作于開(kāi)關(guān)狀態(tài),并且流過(guò)場(chǎng)效應管的電...逆變器燒場(chǎng)效應管原因:逆變器的場(chǎng)效應管工作于開(kāi)關(guān)狀態(tài),并且流過(guò)場(chǎng)效應管的電流很大,若場(chǎng)效應管選型不合適、驅動(dòng)電壓幅度不夠大或電路的散熱不好,皆可導致場(chǎng)效...
浮柵場(chǎng)效應管解析:閃存(Flash)技術(shù)利用的場(chǎng)效應管就是浮柵場(chǎng)效應管。FLASH技...浮柵場(chǎng)效應管解析:閃存(Flash)技術(shù)利用的場(chǎng)效應管就是浮柵場(chǎng)效應管。FLASH技術(shù)是采用特殊的浮柵場(chǎng)效應管作為存儲單元。這種場(chǎng)效應管的結構與普通場(chǎng)管有很大區別...
120VMOS管,3112參數-產(chǎn)品特性:采用CRM(CQ)先進(jìn)的溝槽技術(shù),極低通阻RDS(on),...120VMOS管,3112參數-產(chǎn)品特性:采用CRM(CQ)先進(jìn)的溝槽技術(shù),極低通阻RDS(on),符合JEDEC標準,RDS(on)=7mΩ(typ.)@VGS=10V
IGBT特性曲線(xiàn)解讀-通態(tài)特性,通態(tài)壓降:隨著(zhù)IGBT器件技術(shù)的發(fā)展,IGBT的通態(tài)壓降...IGBT特性曲線(xiàn)解讀-通態(tài)特性,通態(tài)壓降:隨著(zhù)IGBT器件技術(shù)的發(fā)展,IGBT的通態(tài)壓降越來(lái)越小,從而使其電流密度越來(lái)越高。但是注意,器件給出的通態(tài)飽和壓降是有一定條...
三極管MOS管單片機控制交流電通斷電路:如何用單片機控制220V交流電的通斷?首...三極管MOS管單片機控制交流電通斷電路:如何用單片機控制220V交流電的通斷?首先來(lái)說(shuō),220V交流電的負載是多大,是感性負載負載還是阻性負載,正常輸出功率是多大...