MOSFET/IGBT的開(kāi)關(guān)損耗測驗是電源調試中非常關(guān)鍵的環(huán)節,但很多工程師對開(kāi)關(guān)損...MOSFET/IGBT的開(kāi)關(guān)損耗測驗是電源調試中非常關(guān)鍵的環(huán)節,但很多工程師對開(kāi)關(guān)損耗的測量還停留在人工計算的感性認知上,PFC MOSFET的開(kāi)關(guān)損耗更是只能依據口口相傳...
MOS管速度飽和:一般而言,載流子速度正比于電場(chǎng),斜率是載流子的遷移率;可當延...MOS管速度飽和:一般而言,載流子速度正比于電場(chǎng),斜率是載流子的遷移率;可當延溝道電場(chǎng)達到臨界值(某個(gè)根據散射效應計算的值)時(shí),載流子的速度將會(huì )趨于飽和,稱(chēng)...
MOS管-熱插拔:當電源與其負載突然斷開(kāi)時(shí),電路寄生電感元件上的大電流擺動(dòng)會(huì )產(chǎn)...MOS管-熱插拔:當電源與其負載突然斷開(kāi)時(shí),電路寄生電感元件上的大電流擺動(dòng)會(huì )產(chǎn)生巨大的尖峰電壓,對電路上的電子元件造成十分不利的影響。與電池保護應用類(lèi)似,此...
功率MOS管Coss會(huì )產(chǎn)生開(kāi)關(guān)損耗,在正常的硬開(kāi)關(guān)過(guò)程中,關(guān)斷時(shí)VDS的電壓上升,電...功率MOS管Coss會(huì )產(chǎn)生開(kāi)關(guān)損耗,在正常的硬開(kāi)關(guān)過(guò)程中,關(guān)斷時(shí)VDS的電壓上升,電流ID對Coss充電,儲存能量。在MOS管開(kāi)通的過(guò)程中,由于VDS具有一定的電壓,那么Cos...
反向電流損害:外加反向電壓不超過(guò)一定范圍時(shí),通過(guò)二極管的電流是少數載流子漂...反向電流損害:外加反向電壓不超過(guò)一定范圍時(shí),通過(guò)二極管的電流是少數載流子漂移運動(dòng)所形成反向電流。由于反向電流很小,二極管處于截止狀態(tài)。這個(gè)反向電流又稱(chēng)為...
MOS管柵極懸空:MOS管經(jīng)常用于電路的開(kāi)關(guān)控制,通過(guò)改變柵極(gate)的電壓來(lái)使漏...MOS管柵極懸空:MOS管經(jīng)常用于電路的開(kāi)關(guān)控制,通過(guò)改變柵極(gate)的電壓來(lái)使漏級(drain)和源級(source)導通或截斷。下面就是一個(gè)常見(jiàn)的開(kāi)關(guān)電路。Vg輸入高時(shí),N管...