MOS管炸裂原因:我們知道開關(guān)電源中MOSFET、 IGBT是最核心也是最容易燒壞的器件...MOS管炸裂原因:我們知道開關(guān)電源中MOSFET、 IGBT是最核心也是最容易燒壞的器件。MOS管炸裂原因:開關(guān)器件長期工作于高電壓大電流狀態(tài),承受著很大的功耗,一但過壓...
場效應(yīng)管高頻電路:MOS場效應(yīng)管的高頻特性正在逐年提高,它的實(shí)用頻率已擴(kuò)展到...場效應(yīng)管高頻電路:MOS場效應(yīng)管的高頻特性正在逐年提高,它的實(shí)用頻率已擴(kuò)展到甚高頻乃至超高頻段。一般說來,場效應(yīng)管與雙極型晶體管相比,在高頻方面具有非線性...
MOS集成電路的檢測注意事項(xiàng)(1)MOS集成電路檢測的一般注意事項(xiàng)以往在購進(jìn)晶體管...MOS集成電路的檢測注意事項(xiàng)(1)MOS集成電路檢測的一般注意事項(xiàng)以往在購進(jìn)晶體管,二極管等元件時,要判斷這些元件是否能用于相應(yīng)的電路。同樣,集成電路出現(xiàn)后,則應(yīng)...
MOS集成電路的功能(1)放大,MOS晶體管作為有源元件,本來就是用作放大元件的。在...MOS集成電路的功能(1)放大,MOS晶體管作為有源元件,本來就是用作放大元件的。在圖3.15所示的互補(bǔ)型電路中,P溝道和N溝道晶體管互為有源元件和負(fù)截元件而工作,適用...
場效應(yīng)管N、P溝道區(qū)分及導(dǎo)通:如何區(qū)分場效應(yīng)管是N溝道還是P溝道? 答:在電路...場效應(yīng)管N、P溝道區(qū)分及導(dǎo)通:如何區(qū)分場效應(yīng)管是N溝道還是P溝道? 答:在電路圖中N溝道的MOS管箭頭是向內(nèi)側(cè)指向,P溝道的箭頭是向外側(cè)指向的。N溝道的測量方法是...
MOS管晶圓是什么,晶圓是指制作硅半導(dǎo)體積體電路所用的硅晶片,其原始材料是硅。...MOS管晶圓是什么,晶圓是指制作硅半導(dǎo)體積體電路所用的硅晶片,其原始材料是硅。高純度的多晶硅溶解后摻入硅晶體晶種,然后慢慢拉出,形成圓柱形的單晶硅。硅晶棒在...