硅柵MOS結(jié)構(gòu)詳細(xì)解析-硅柵MOS結(jié)構(gòu):在MOS-IC的早期產(chǎn)品中,廣泛使用金屬AI作為柵...硅柵MOS結(jié)構(gòu)詳細(xì)解析-硅柵MOS結(jié)構(gòu):在MOS-IC的早期產(chǎn)品中,廣泛使用金屬AI作為柵極。例如上世紀(jì)60年代中期第一只MOS-IC即為p溝增強(qiáng)型A1柵器件。但隨著MOS-IC規(guī)模的...
MOS管電容特性-動(dòng)態(tài)特性:從圖九可以看出功率管的寄生電容分布情況,電容的大小...MOS管電容特性-動(dòng)態(tài)特性:從圖九可以看出功率管的寄生電容分布情況,電容的大小由功率管的結(jié)構(gòu),材料和所加的電壓決定。這些電容和溫度無(wú)關(guān),所以功率管的開關(guān)速度對(duì)...
高速M(fèi)OS驅(qū)動(dòng)應(yīng)用:雙極晶體管和場(chǎng)效應(yīng)晶體管有著相同的工作原理。從根本上說(shuō),,...高速M(fèi)OS驅(qū)動(dòng)應(yīng)用:雙極晶體管和場(chǎng)效應(yīng)晶體管有著相同的工作原理。從根本上說(shuō),,兩種類型晶體管均是電荷控制元件,即它們的輸出電流和控制極半導(dǎo)體內(nèi)的電荷量成比例...
雙場(chǎng)效應(yīng)管推挽功率放大器:由于單場(chǎng)效應(yīng)管功率放大器存在效率低、輸出功率小等...雙場(chǎng)效應(yīng)管推挽功率放大器:由于單場(chǎng)效應(yīng)管功率放大器存在效率低、輸出功率小等缺點(diǎn),所以我們必須在提高功放的效率和增大輸出功率方面下功夫。雙場(chǎng)效應(yīng)管推挽功率...
場(chǎng)效應(yīng)管功率放大器:微弱的信號(hào)經(jīng)過(guò)小信號(hào)放大器(或稱前置放大器)逐級(jí)放大后,...場(chǎng)效應(yīng)管功率放大器:微弱的信號(hào)經(jīng)過(guò)小信號(hào)放大器(或稱前置放大器)逐級(jí)放大后,去控制某些執(zhí)行機(jī)構(gòu),如喇叭、繼電器等。而這些執(zhí)行機(jī)構(gòu)都需要一定的功率去推動(dòng),所...
CMOS工藝詳細(xì)解析:CMOS工藝與NMOS(或PMOS)工藝不同之處是要在同一個(gè)襯底上同時(shí)...CMOS工藝詳細(xì)解析:CMOS工藝與NMOS(或PMOS)工藝不同之處是要在同一個(gè)襯底上同時(shí)制造出n-溝和p-溝晶體管。在NMOS工藝中看到,襯底的摻雜類型和摻雜水平是按照在它上...