襯底材料對(duì)MOSFET的閾值電壓有顯著影響。例如,普通的MOSFET襯底材料為硅晶片,...襯底材料對(duì)MOSFET的閾值電壓有顯著影響。例如,普通的MOSFET襯底材料為硅晶片,但在高溫、高電場(chǎng)下易發(fā)生擊穿,從而降低了閾值電壓。因此,一些高溫處理的MOSFET采...
KNH9120A場(chǎng)效應(yīng)管采用專有新型平面技術(shù),漏源擊穿電壓200V,漏極電流40A,RDS(...KNH9120A場(chǎng)效應(yīng)管采用專有新型平面技術(shù),漏源擊穿電壓200V,漏極電流40A,RDS(ON)=3.6Ω(典型值)@VGS=10V,低導(dǎo)通電阻有助于減少功率損耗和發(fā)熱,具有低柵極電...
MOSFET的關(guān)斷時(shí)間與其柵極電容(Cgs)有關(guān)。減小柵極電容可以減少充放電時(shí)間,...MOSFET的關(guān)斷時(shí)間與其柵極電容(Cgs)有關(guān)。減小柵極電容可以減少充放電時(shí)間,從而加速關(guān)斷過(guò)程。這可以通過(guò)優(yōu)化布局、使用更小的柵極面積或選擇具有更低柵極電容...
提高驅(qū)動(dòng)電路提供的柵極驅(qū)動(dòng)電壓和電流,增大驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度可以加速M(fèi)OSFET的開啟和關(guān)...提高驅(qū)動(dòng)電路提供的柵極驅(qū)動(dòng)電壓和電流,增大驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度可以加速M(fèi)OSFET的開啟和關(guān)斷過(guò)程。減小柵極驅(qū)動(dòng)電阻Rg可以提供更大的瞬態(tài)電流,從而加快MOSFET的開關(guān)速度。而...
KNF4390A采用專有新型平面技術(shù),漏源擊穿電壓900V,漏極電流4A,能夠承受高達(dá)9...KNF4390A采用專有新型平面技術(shù),漏源擊穿電壓900V,漏極電流4A,能夠承受高達(dá)900伏特的電壓,適用于需要高耐壓的應(yīng)用場(chǎng)景,RDS(ON)=3.6Ω(典型值)@VGS=10V,低...
如果不太懂電源設(shè)計(jì),又需要多路電源隔離輸出,那么這個(gè)電路方案肯定能用的上,...如果不太懂電源設(shè)計(jì),又需要多路電源隔離輸出,那么這個(gè)電路方案肯定能用的上,調(diào)試簡(jiǎn)單,拓?fù)湟埠?jiǎn)單,繞變壓器不需要算氣隙,直接計(jì)算匝數(shù)就可以了,簡(jiǎn)單實(shí)用。實(shí)...