當電池極性未接反時(shí),D正偏導通,Q的GS極由電池正極經(jīng)過(guò)F、R1、D回到電池負極得...當電池極性未接反時(shí),D正偏導通,Q的GS極由電池正極經(jīng)過(guò)F、R1、D回到電池負極得到正偏而導通。Q導通后的壓降比D的壓降小得多,所以Q導通后會(huì )使D得不到足夠的正向電...
R5為全橋高壓逆變MOS管源極的高壓電流取樣電阻,可以這么理解,高壓電流的大小...R5為全橋高壓逆變MOS管源極的高壓電流取樣電阻,可以這么理解,高壓電流的大小基本上決定了輸出功率的大小,所以用R5檢測高壓電流的大小。圖中LM339的兩個(gè)比較器單...
IGBT是由一個(gè)N溝道的MOS管FET和一個(gè)PNP型GTR組成,以GTR為主導器件,MOS管為驅...IGBT是由一個(gè)N溝道的MOS管FET和一個(gè)PNP型GTR組成,以GTR為主導器件,MOS管為驅動(dòng)器件。GiantTransistor-GTR電力晶體管。這也導致其性能上與MOS管有所差異。注意區...
關(guān)斷瞬間驅動(dòng)電路能提供一個(gè)盡可能低阻抗的通路供MOSFET柵源極間電容電壓快速泄...關(guān)斷瞬間驅動(dòng)電路能提供一個(gè)盡可能低阻抗的通路供MOSFET柵源極間電容電壓快速泄放,保證開(kāi)關(guān)管能快速關(guān)斷。為使柵源極間電容電壓的快速泄放,常在驅動(dòng)電阻上并聯(lián)一...
保護作用:當流過(guò)SD的電流過(guò)大時(shí)可以分流一部分;對于高速開(kāi)關(guān)的場(chǎng)合,體二極管...保護作用:當流過(guò)SD的電流過(guò)大時(shí)可以分流一部分;對于高速開(kāi)關(guān)的場(chǎng)合,體二極管由于開(kāi)通速度過(guò)慢,導致無(wú)法迅速開(kāi)通,電流無(wú)法通過(guò),進(jìn)而損壞MOS,因此并聯(lián)的二極...
勢壘高度的計算公式為:qVD=Wm-Ws,其中q為電子電荷量,V為反向偏置電壓,D為勢...勢壘高度的計算公式為:qVD=Wm-Ws,其中q為電子電荷量,V為反向偏置電壓,D為勢壘寬度,Wm為多數載流子能量,Ws為少數載流子能量。