為了抑制該瞬間沖擊電流,會(huì )在車(chē)載逆變器的DC/AC逆變電路的輸出端AC1設置有抑制...為了抑制該瞬間沖擊電流,會(huì )在車(chē)載逆變器的DC/AC逆變電路的輸出端AC1設置有抑制浪涌電流的NTC電阻Rt,如附圖1所示。在上電工作前NTC電阻Rt為常溫,其具有較大的電...
晶圓經(jīng)過(guò)測試后,首先要經(jīng)過(guò)背面研磨,以達到所需厚度;然后進(jìn)行晶圓切割,將晶...晶圓經(jīng)過(guò)測試后,首先要經(jīng)過(guò)背面研磨,以達到所需厚度;然后進(jìn)行晶圓切割,將晶圓切割成芯片;選擇質(zhì)量良好的芯片,通過(guò)芯片貼裝工藝將芯片連接到引線(xiàn)框架或基板上...
這里使用單穩態(tài)/非穩態(tài)多諧振蕩器IC CD4047來(lái)產(chǎn)生開(kāi)關(guān)脈沖。該 IC 工作功耗低,...這里使用單穩態(tài)/非穩態(tài)多諧振蕩器IC CD4047來(lái)產(chǎn)生開(kāi)關(guān)脈沖。該 IC 工作功耗低,采用 14 引腳雙列直插式封裝。在引腳 13 處,引腳 10 處的振蕩的 1/2 作為 Q,引腳...
1.晶圓制備 硅是地殼內第二豐富的元素,而脫氧后的沙子(尤其是石英)最多包含...1.晶圓制備 硅是地殼內第二豐富的元素,而脫氧后的沙子(尤其是石英)最多包含25%的硅元素,以二氧化硅(SiO?)的形式存在,這也是半導體制造產(chǎn)業(yè)的基礎。
導通條件:Vgs>Vth,R1、R2的作用是為了給G、S之間創(chuàng )造一個(gè)Vgs電壓,不需要去...導通條件:Vgs>Vth,R1、R2的作用是為了給G、S之間創(chuàng )造一個(gè)Vgs電壓,不需要去關(guān)心G、D之間的電壓關(guān)系(只要沒(méi)有達到擊穿電壓)。另外S極不一定需要接地,只需要滿(mǎn)...
當柵極(G)接高電平時(shí),源極(S)和漏極(D)之間的導電通道被打開(kāi),電流可以...當柵極(G)接高電平時(shí),源極(S)和漏極(D)之間的導電通道被打開(kāi),電流可以通過(guò);當柵極接低電平時(shí),導電通道被關(guān)閉,電流無(wú)法通過(guò)。因此,通過(guò)控制柵極的電平...