NMOS做高側(cè)開(kāi)關(guān)的性能比較好,但因?yàn)橐黾宇~外的柵極驅(qū)動(dòng)IC,會(huì)使電路變得復(fù)雜...NMOS做高側(cè)開(kāi)關(guān)的性能比較好,但因?yàn)橐黾宇~外的柵極驅(qū)動(dòng)IC,會(huì)使電路變得復(fù)雜,成本也會(huì)隨之提升。除開(kāi)電機(jī)控制和電源轉(zhuǎn)換的場(chǎng)合,一般對(duì)開(kāi)通速度、導(dǎo)通內(nèi)阻、過(guò)...
用以實(shí)現(xiàn)基本邏輯運(yùn)算和復(fù)合邏輯運(yùn)算的單元電路稱為門(mén)電路。 門(mén)電路是數(shù)字電路...用以實(shí)現(xiàn)基本邏輯運(yùn)算和復(fù)合邏輯運(yùn)算的單元電路稱為門(mén)電路。 門(mén)電路是數(shù)字電路中最基本的邏輯單元。它可以使輸出信號(hào)與輸入信號(hào)之間產(chǎn)生一定的邏輯關(guān)系。
在與門(mén)電路功能示意圖中,只有在開(kāi)關(guān)A和B都閉合時(shí),燈才會(huì)亮,如果A和B中任意一...在與門(mén)電路功能示意圖中,只有在開(kāi)關(guān)A和B都閉合時(shí),燈才會(huì)亮,如果A和B中任意一個(gè)處于開(kāi)路狀態(tài),燈就不會(huì)亮。
圖所示是RC移相式正弦波振蕩器電路。電路中,VT1 接成共發(fā)射極放大器電路,VT1...圖所示是RC移相式正弦波振蕩器電路。電路中,VT1 接成共發(fā)射極放大器電路,VT1 為振蕩管,Uo這一振蕩器的輸出信號(hào),為正弦信號(hào)。
三級(jí)管和MOS管的結(jié)構(gòu)不同,mos管的柵線是用絕緣層和金屬網(wǎng)格構(gòu)成的;而三極管是...三級(jí)管和MOS管的結(jié)構(gòu)不同,mos管的柵線是用絕緣層和金屬網(wǎng)格構(gòu)成的;而三極管是直接用硅片上的pn結(jié)把兩個(gè)電極連接起來(lái)。 控制的區(qū)別:三極管是電流驅(qū)動(dòng)的,較低的...
使用萬(wàn)用表的兩個(gè)表筆分別測(cè)量MOS管的兩個(gè)引腳,記錄下萬(wàn)用表的讀數(shù)。 如果某...使用萬(wàn)用表的兩個(gè)表筆分別測(cè)量MOS管的兩個(gè)引腳,記錄下萬(wàn)用表的讀數(shù)。 如果某個(gè)引腳顯示出無(wú)窮大的讀數(shù),則該引腳對(duì)應(yīng)的是源極(S)。相反,如果另一個(gè)引腳有數(shù)值...