充電時(shí),控制IC X1會(huì)時(shí)刻監(jiān)測(cè)第5腳VDD和第6腳VSS之間的電壓,當(dāng)這個(gè)電壓大于等...充電時(shí),控制IC X1會(huì)時(shí)刻監(jiān)測(cè)第5腳VDD和第6腳VSS之間的電壓,當(dāng)這個(gè)電壓大于等于過充截止電壓且滿足過充電壓的延時(shí)時(shí)間時(shí),X1會(huì)通過控制第3腳來關(guān)閉MOS管Q2,Q2被...
蜂鳴器的發(fā)聲原理由振動(dòng)裝置和諧振裝置組成,而蜂鳴器又分為無源他激型與有源自...蜂鳴器的發(fā)聲原理由振動(dòng)裝置和諧振裝置組成,而蜂鳴器又分為無源他激型與有源自激型。無源他激型蜂鳴器的工作發(fā)聲原理是:方波信號(hào)輸入諧振裝置轉(zhuǎn)換為聲音信號(hào)輸出...
MOSFET 的體效應(yīng)(body-effect,也叫襯底調(diào)制效應(yīng)/襯偏效應(yīng)),主要是來源于 M...MOSFET 的體效應(yīng)(body-effect,也叫襯底調(diào)制效應(yīng)/襯偏效應(yīng)),主要是來源于 MOS 管的 S-B(Source-Bulk)端之間的偏壓對(duì) MOSFET 閾值電壓 vth 的影響
通過調(diào)節(jié)門極驅(qū)動(dòng)電阻和電容的大小可以來調(diào)整 MOSFET 的開通/關(guān)斷速度:增大門...通過調(diào)節(jié)門極驅(qū)動(dòng)電阻和電容的大小可以來調(diào)整 MOSFET 的開通/關(guān)斷速度:增大門極驅(qū)動(dòng)電阻和電容來減慢MOSFET開通/關(guān)斷的速度,減小 dv/dt (di/dt) 從而減小門極電...
高壓MOS管(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)的核心是其特...高壓MOS管(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)的核心是其特殊的MOS結(jié)構(gòu),包括源極、漏極和柵極,以及它們之間的電壓控制關(guān)系。
絕對(duì)值電路可以將輸入的帶有正負(fù)號(hào)的數(shù)值轉(zhuǎn)換為其絕對(duì)值。這是通過對(duì)輸入信號(hào)進(jìn)...絕對(duì)值電路可以將輸入的帶有正負(fù)號(hào)的數(shù)值轉(zhuǎn)換為其絕對(duì)值。這是通過對(duì)輸入信號(hào)進(jìn)行比較和選擇來實(shí)現(xiàn)的。如果輸入信號(hào)是正的,則輸出與輸入相同;如果輸入信號(hào)是負(fù)的...