當SiC MOSFET的LS導(dǎo)通時,首先ID會變化(下述波形示意圖T1)。此時LS的ID沿增加...當SiC MOSFET的LS導(dǎo)通時,首先ID會變化(下述波形示意圖T1)。此時LS的ID沿增加方向、HS的ID沿減少方向流動,受下述等效電路圖中所示的事件(I)影響,在圖中所示的...
LS(低邊)側(cè)SiC MOSFET Turn-on和Turn-off時的VDS和ID的變化方式不同。在探討...LS(低邊)側(cè)SiC MOSFET Turn-on和Turn-off時的VDS和ID的變化方式不同。在探討SiC MOSFET的這種變化對Gate-Source電壓(VGS)帶來的影響時,需要在包括SiC MOSFET的...
在交流電路中,由電源供給負載的電功率有兩種:一種是有功功率,一種是無功功率...在交流電路中,由電源供給負載的電功率有兩種:一種是有功功率,一種是無功功率。電壓電流同相位,電源向負載供電,負載把電能轉(zhuǎn)換成其他能量,叫有功。電壓電流不...
在不低于幾百伏的較高電壓下,Si MOSFET、SiC MOSFET和UnitedSiC FET是同一個位...在不低于幾百伏的較高電壓下,Si MOSFET、SiC MOSFET和UnitedSiC FET是同一個位置的有力競爭產(chǎn)品,它們的數(shù)據(jù)資料中通常標明特定額定電壓、結(jié)溫和柵極驅(qū)動電壓下的...
在大多數(shù)降壓調(diào)節(jié)器的典型應(yīng)用中,使用有源開關(guān)而非肖特基二極管是標準做法。這...在大多數(shù)降壓調(diào)節(jié)器的典型應(yīng)用中,使用有源開關(guān)而非肖特基二極管是標準做法。這樣能大大提高轉(zhuǎn)換效率,尤其是產(chǎn)生低輸出電壓時。在需要電流隔離的應(yīng)用中,也可使用...
此經(jīng)典電路優(yōu)點比較明顯,電路結(jié)構(gòu)簡單、極低干擾噪聲、穩(wěn)定性好;同時此電路也...此經(jīng)典電路優(yōu)點比較明顯,電路結(jié)構(gòu)簡單、極低干擾噪聲、穩(wěn)定性好;同時此電路也有缺點,輸入交流電范圍窄(一般是220VAC±5%),體積重量大;雖然此電路缺點明顯目...