關(guān)斷瞬間驅(qū)動電路能提供一個盡可能低阻抗的通路供MOSFET柵源極間電容電壓快速泄...關(guān)斷瞬間驅(qū)動電路能提供一個盡可能低阻抗的通路供MOSFET柵源極間電容電壓快速泄放,保證開關(guān)管能快速關(guān)斷。為使柵源極間電容電壓的快速泄放,常在驅(qū)動電阻上并聯(lián)一...
保護作用:當流過SD的電流過大時可以分流一部分;對于高速開關(guān)的場合,體二極管...保護作用:當流過SD的電流過大時可以分流一部分;對于高速開關(guān)的場合,體二極管由于開通速度過慢,導(dǎo)致無法迅速開通,電流無法通過,進而損壞MOS,因此并聯(lián)的二極...
勢壘高度的計算公式為:qVD=Wm-Ws,其中q為電子電荷量,V為反向偏置電壓,D為勢...勢壘高度的計算公式為:qVD=Wm-Ws,其中q為電子電荷量,V為反向偏置電壓,D為勢壘寬度,Wm為多數(shù)載流子能量,Ws為少數(shù)載流子能量。
電容是衡量電路中儲存電荷能力的物理量,常用的單位有法拉(F),較小的單位有...電容是衡量電路中儲存電荷能力的物理量,常用的單位有法拉(F),較小的單位有毫法拉(mF),微法拉(μF)和皮法拉(pF)。
當輸入口的電壓小于等于GND-0.7時,二極管D1不導(dǎo)通,二極管D2導(dǎo)通,此時輸出口...當輸入口的電壓小于等于GND-0.7時,二極管D1不導(dǎo)通,二極管D2導(dǎo)通,此時輸出口的電壓就會被鉗位在GND-0.7,無論輸入再小,輸出也不會變。
輸入整流部分:分析高壓輸入整流電路的具體參數(shù),然后選取具體保險整流二極管的...輸入整流部分:分析高壓輸入整流電路的具體參數(shù),然后選取具體保險整流二極管的規(guī)格,因為我們的功率比較低,可以選取線繞電阻作為保險,用1N4007做整流管如果功率...