當(dāng)開啟電壓達(dá)到MOS管開啟電壓后MOS管才能打開,DS之間才能導(dǎo)通D1二極管才能點(diǎn)亮...當(dāng)開啟電壓達(dá)到MOS管開啟電壓后MOS管才能打開,DS之間才能導(dǎo)通D1二極管才能點(diǎn)亮,電路中有一顆關(guān)鍵的元器件C1電容,當(dāng)按下SW1時電壓開始給C1充電,只有當(dāng)電容充到...
在電路設(shè)計過程中,有時需要“獨(dú)立”控制幾個開關(guān)的通與斷。例如構(gòu)造某種波形。...在電路設(shè)計過程中,有時需要“獨(dú)立”控制幾個開關(guān)的通與斷。例如構(gòu)造某種波形。晶體管開關(guān)能夠?qū)崿F(xiàn)一些開關(guān)的通與斷不會影響其他開關(guān)的通與斷,即開關(guān)之間相互“獨(dú)...
本文介紹的數(shù)字后端概念是溝道寬長比。是代表著溝道寬度W與溝道長度L的比例。這...本文介紹的數(shù)字后端概念是溝道寬長比。是代表著溝道寬度W與溝道長度L的比例。這也是CMOS集成電路的一個基本概念。溝道(channel)是指場效應(yīng)晶體管中源區(qū)和漏區(qū)之...
導(dǎo)通功率損耗主要來源于功率電流在通態(tài)電阻Rds((on)上產(chǎn)生的熱。 從公式來...導(dǎo)通功率損耗主要來源于功率電流在通態(tài)電阻Rds((on)上產(chǎn)生的熱。 從公式來看,漏極電流IDS和溫度系數(shù)K不變的前提下,降低通態(tài)損耗的方式/只有降低通態(tài)電阻Rds...
放大電路的小信號分析主要考慮三個參數(shù),放大倍數(shù)、輸入阻抗和輸出阻抗,這三個...放大電路的小信號分析主要考慮三個參數(shù),放大倍數(shù)、輸入阻抗和輸出阻抗,這三個參數(shù)直接影響實(shí)際電路中的小信號放大倍數(shù)。
一個合適的偏置電路設(shè)計是放大器工作的前提,偏置電路需要使MOSFET工作在飽和區(qū)...一個合適的偏置電路設(shè)計是放大器工作的前提,偏置電路需要使MOSFET工作在飽和區(qū)。如圖圖1,這是一個MOSFET放大器的最基本電路。