MOS管2301 -2.8A-20V產(chǎn)品特征 VDS=-20V,RDS(on)=0.12Ω@VGS=-4.5V,ID=-2.8A ...MOS管2301 -2.8A-20V產(chǎn)品特征 VDS=-20V,RDS(on)=0.12Ω@VGS=-4.5V,ID=-2.8A VDS=-20V,RDS(on)=0.19Ω@VGS=-2.5V,ID=-1.8A
超高耐壓的器件主要應用場(chǎng)景為工業(yè)三相智能電表、LED照明驅動(dòng)電源、充電樁,光...超高耐壓的器件主要應用場(chǎng)景為工業(yè)三相智能電表、LED照明驅動(dòng)電源、充電樁,光伏逆變器等輔助電源。 國內專(zhuān)注研發(fā)優(yōu)質(zhì)MOS管廠(chǎng)家KIA半導體生產(chǎn)的超高壓MOSFET--KN...
MOS管導通時(shí),Rds會(huì )從無(wú)窮大將至Rds(on)(一般0.1歐姆級或者更低)。柵極電阻過(guò)大...MOS管導通時(shí),Rds會(huì )從無(wú)窮大將至Rds(on)(一般0.1歐姆級或者更低)。柵極電阻過(guò)大時(shí),MOS管導通速度過(guò)慢,即Rds的減小要經(jīng)過(guò)一段時(shí)間,高壓時(shí)Rds會(huì )消耗大量功率,導...
KIA12N65H N溝道增強型MOSFET;12N65參數650V12A;12N65引腳TO-220F;12N65場(chǎng)效...KIA12N65H N溝道增強型MOSFET;12N65參數650V12A;12N65引腳TO-220F;12N65場(chǎng)效應管中文資料規格書(shū)12N65引腳圖
這些N溝道增強模式的功率場(chǎng)效應晶體管是用KIA半導體制造的專(zhuān)有、平面、DMOS技術(shù)...這些N溝道增強模式的功率場(chǎng)效應晶體管是用KIA半導體制造的專(zhuān)有、平面、DMOS技術(shù)。這項先進(jìn)的技術(shù)經(jīng)過(guò)了特別的調整,以使其最小化通態(tài)電阻,提供優(yōu)越的開(kāi)關(guān)性能,并...
MOSFET的失效很多都是由于過(guò)熱導致的,那么在選件選型,電路設計及PCB布局時(shí)就...MOSFET的失效很多都是由于過(guò)熱導致的,那么在選件選型,電路設計及PCB布局時(shí)就要格外注意應用情況和設計余量,確保MOSFET的Tj不會(huì )超過(guò)其最大值。