MOSFET管是FET的一種(另一種是JFET),可以被制造成增強型或耗盡型,P溝道或N...MOSFET管是FET的一種(另一種是JFET),可以被制造成增強型或耗盡型,P溝道或N溝道共4種類(lèi)型,但實(shí)際應用的只有增強型的N溝道MOS管型號和增強型的P溝道MOS管型號,...
KIA半導體專(zhuān)業(yè)研發(fā)生產(chǎn)MOS管場(chǎng)效應管廠(chǎng)家KIA半導體專(zhuān)業(yè)研發(fā)生產(chǎn)MOS管場(chǎng)效應管廠(chǎng)家
如何取舍好MOS管 第一步是決議采納N溝道還是P溝道MOS管。正在垂范的功...如何取舍好MOS管 第一步是決議采納N溝道還是P溝道MOS管。正在垂范的功率使用中,當一度MOS管接地,而負載聯(lián)接到支線(xiàn)電壓上時(shí),該MOS管就構 成了高壓側電...
場(chǎng)效應管引見(jiàn)篇 場(chǎng)效應結晶體管(Field Effect Transistor縮寫(xiě)(FET))職稱(chēng)...場(chǎng)效應管引見(jiàn)篇 場(chǎng)效應結晶體管(Field Effect Transistor縮寫(xiě)(FET))職稱(chēng)場(chǎng)效應管。由少數載流子參加導熱,也稱(chēng)為多極型結晶體管。它歸于電壓掌握型半超導體...
KIA6N70H場(chǎng)效應管漏源擊穿電壓700V、漏極電流5.8A,RDS(on)typ為1.8Ω@VGS=10V...KIA6N70H場(chǎng)效應管漏源擊穿電壓700V、漏極電流5.8A,RDS(on)typ為1.8Ω@VGS=10V,具有低柵電荷(典型16NC)、高耐用性、快速切換和雪崩測試100%、具備提高dv/dt能力...
廣東可易亞半導體科技有限公司-商標 深圳市金泰子實(shí)業(yè)有限公司-商標 深圳市福...廣東可易亞半導體科技有限公司-商標 深圳市金泰子實(shí)業(yè)有限公司-商標 深圳市福田區可得電子設備商行-商標