近些年來(lái)，隨著(zhù)節能意識幾乎在所有的領(lǐng)域持續高漲，在高電壓工業(yè)設備領(lǐng)域中，可實(shí)現節能并支持高電壓的功率半導體和電源IC應用也越來(lái)越廣泛。其中，與現有的Si功率半導體相比，可支持更高電壓、有助于實(shí)現小型化且更加節電的SiC功率半導體備受矚目。

碳化硅（SiC）是一種Ⅳ－Ⅳ族化合物半導體材料，具有多種同素異構類(lèi)型。其典型結構可分為兩類(lèi)：一類(lèi)是閃鋅礦結構的立方SiC晶型，稱(chēng)為3C或 β－SiC，這里3指的是周期性次序中面的數目；另一類(lèi)是六角型或菱形結構的大周期結構，其中典型的有6H、4H、15R等，統稱(chēng)為α－SiC。與Si相 比，SiC材料具有更大的Eg、Ec、Vsat、λ。大的Eg使SiC可以工作于650℃以上的高溫環(huán)境，并具有極好的抗輻射性能。

相比于Si器件，SiC功率器件的優(yōu)勢體現在哪些方面？

作為一種寬禁帶半導體材料，SiC對功率半導體可以說(shuō)是一個(gè)沖擊。這種材料不但擊穿電場(chǎng)強度高、熱穩定性好，還具有載流子飽和漂移速度高、熱導率高等特 點(diǎn)。具體來(lái)看，其導熱性能是Si材料的3倍以上；在相同反壓下，SiC材料的擊穿電場(chǎng)強度比Si高10倍，而內阻僅是Si片的百分之一。SiC器件的工作 溫度可以達到600℃，而一般的Si器件最多能堅持到150℃。

因為這些特性，SiC可以用來(lái)制造各種耐高溫的高頻大功率器件，應用于Si 器件難以勝任的場(chǎng)合。以SiC肖特基二極管為例，它是速度最快的高壓肖特基二極管，無(wú)需反向恢復充電，可大幅降低開(kāi)關(guān)損耗、提高開(kāi)關(guān)頻率，適用于比采用硅 技術(shù)的肖特基二極管高得多的操作電壓范圍，例如，600V SiC肖特基二極管可以用在SMPS中，300V SiC肖特基二極管可以用作48~60V快速輸出開(kāi)關(guān)電源的整流二極管，而1，200V SiC肖特基二極管與硅IGBT組合后可以作為理想的續流二極管。

采用硅材料的MOSFET在提高器件阻斷電壓時(shí)，必須加寬器件的漂移區，這會(huì )使其內阻迅速增大，壓降增高，損耗增大。阻斷電壓范圍在 1，200~1，800V的硅MOSFET不僅體積大，而且價(jià)格昂貴。IGBT雖然在高壓應用時(shí)可降低導通功耗，但若開(kāi)關(guān)頻率增加時(shí)，開(kāi)關(guān)功耗亦隨之增 大。因此IGBT在高頻開(kāi)關(guān)電源上亦有其本身的限制。而用SiC做襯底的MOSFET，可輕易做到1，000～2，000伏的MOSFET，其開(kāi)關(guān)特性 （結電容值，開(kāi)關(guān)損耗，開(kāi)關(guān)波型等）則與100多伏的硅MOSFET相若，導通電阻更可低至毫歐值。在高壓開(kāi)關(guān)電源應用上，完全可取代硅IGBT并可提高 系統的整體效率以及開(kāi)關(guān)頻率。

價(jià)格較貴是否會(huì )是采用SiC功率器件的一個(gè)阻礙？

單就Si器件和SiC器件的價(jià)差來(lái)看，確實(shí)有較大的差異，但如果從SiC器件帶來(lái)的系統性能提升來(lái)看，將會(huì )發(fā)現其帶來(lái)的總體效益遠遠超過(guò)兩類(lèi)器件的價(jià)差。在SiC特別適合的高壓應用中，如果充分發(fā)揮SiC器件的特性，這一整體優(yōu)勢表現得非常明顯。

具 體來(lái)看，其整體優(yōu)勢主要體現在下面幾個(gè)方面：一是SiC功率器件帶來(lái)開(kāi)關(guān)損耗的大幅降低，可以大大提高系統的效率；二是因為SiC器件無(wú)反向恢復、散熱性 能好等特點(diǎn)，減少周邊器件的使用或者采用體積較小的器件，線(xiàn)路也得到優(yōu)化，從而在整體上縮減了系統尺寸；最后，因為效率提高、器件精簡(jiǎn)從而獲得了系統整體 成本的節約。

針對未來(lái)的發(fā)展,KIA半導體最新設計出碳化硅場(chǎng)效應管SiC MOSFET，適用于充電樁、無(wú)人機、太陽(yáng)能逆變等高新科技領(lǐng)域。

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