pwm驅動(dòng)mos管開(kāi)關(guān)電路設計-pwm驅動(dòng)mos管電路原理分析-KIA MOS管
信息來(lái)源：本站 日期：2018-07-04
MOS管開(kāi)關(guān)電路是利用一種電路，是利用MOS管柵極（g）控制MOS管源極（s）和漏極（d）通斷的原理構造的電路。MOS管分為N溝道與P溝道，所以開(kāi)關(guān)電路也主要分為兩種。本文為大家帶來(lái)三種pwm驅動(dòng)mos管開(kāi)關(guān)電路解析。
只是單個(gè)MOS管的普通驅動(dòng)方式像這種增強型NMOS管直接加一個(gè)電阻限流即可。由于MOS管內部有寄生電容有時(shí)候為了加速電容放電，會(huì )在限流電阻反向并聯(lián)一個(gè)二極管。
用于NMOS的驅動(dòng)電路和用于pwm驅動(dòng)mos管開(kāi)關(guān)電路
Vl和Vh分別是低端和高端的電源，兩個(gè)電壓可以是相同的，但是Vl不應該超過(guò)Vh。
Q1和Q2組成了一個(gè)反置的圖騰柱，用來(lái)實(shí)現隔離，同時(shí)確保兩只驅動(dòng)管Q3和Q4不會(huì )同時(shí)導通。
R2和R3提供了PWM電壓基準，通過(guò)改變這個(gè)基準，可以讓電路工作在PWM信號波形比較陡直的位置。
Q3和Q4用來(lái)提供驅動(dòng)電流，由于導通的時(shí)候，Q3和Q4相對Vh和GND最低都只有一個(gè)Vce的壓降，這個(gè)壓降通常只有0.3V左右，大大低于0.7V的Vce。
R5和R6是反饋電阻，用于對gate電壓進(jìn)行采樣，采樣后的電壓通過(guò)Q5對Q1和Q2的基極產(chǎn)生一個(gè)強烈的負反饋，從而把gate電壓限制在一個(gè)有限的數值。這個(gè)數值可以通過(guò)R5和R6來(lái)調節。
最后，R1提供了對Q3和Q4的基極電流限制，R4提供了對MOS管的gate電流限制，也就是Q3和Q4的Ice的限制。必要的時(shí)候可以在R4上面并聯(lián)加速電容。
1，用低端電壓和PWM驅動(dòng)高端MOS管。
2，用小幅度的PWM信號驅動(dòng)高gate電壓需求的MOS管。
3，gate電壓的峰值限制
4，輸入和輸出的電流限制
5，通過(guò)使用合適的電阻，可以達到很低的功耗。
6，PWM信號反相。NMOS并不需要這個(gè)特性，可以通過(guò)前置一個(gè)反相器來(lái)解決。
當控制器輸出pwm驅動(dòng)mos管開(kāi)關(guān)電路PWM脈沖時(shí)，電磁閥工作；沒(méi)有輸出PWM時(shí)，電磁閥不工作。
整個(gè)電路根據光耦可分為兩部分
左邊為光耦輸入部分，也是整個(gè)電路pwm驅動(dòng)mos管開(kāi)關(guān)電路PWM信號的輸入部分；右邊為光耦輸出部分，也是電磁閥的驅動(dòng)部分。
這兩部分通過(guò)光耦隔離，兩邊的地都不一樣。
當光耦沒(méi)有pwm驅動(dòng)mos管開(kāi)關(guān)電路PWM信號輸入時(shí)，光耦發(fā)光二極管截止，光耦的光電晶體管也是截止狀態(tài)，Q1是一個(gè)NMOS，也處于截止狀態(tài)，電磁閥沒(méi)有電流，不工作。
當光耦有pwm驅動(dòng)mos管開(kāi)關(guān)電路PWM信號輸入時(shí)，光耦發(fā)光二極管導通，觸發(fā)光電晶體管也導通。24V電源經(jīng)電阻R1，光電晶體管的CE極，電阻R3分壓使NMOS IRF540N的柵極為高電平，觸發(fā)MOS管導通，電磁閥線(xiàn)圈有電流流過(guò)，電磁閥觸發(fā)動(dòng)作。
二極管D1為電磁閥的泄放二極管，防止NMOS被高壓損壞。電容C1起濾波作用，但同時(shí)也會(huì )增加MOS管的開(kāi)關(guān)損耗。
注意：
在實(shí)際制作時(shí)，要注意電磁閥驅動(dòng)這塊，要讓MOS管處于開(kāi)關(guān)狀態(tài)，以免它發(fā)熱嚴重。
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