MOS管工作原理視頻-MOS管工作原理高清視頻-在線(xiàn)觀(guān)看-KIA MOS管
信息來(lái)源：本站 日期：2018-06-22
金屬氧化物半導體場(chǎng)效應晶體管，有增強型跟耗盡型的區分，但是由于本人沒(méi)見(jiàn)過(guò)耗盡型的mos管，所以直接忽略，需要可自行查閱這兩者的區分。
MOS管的source和drain是可以對調的，他們都是在P型backgate中形成的N型區。在多數情況下，這個(gè)兩個(gè)區是一樣的，即使兩端對調也不會(huì )影響器件的性能。這樣的器件被認為是對稱(chēng)的。
開(kāi)啟電壓（又稱(chēng)閾值電壓）：使得源極S和漏極D之間開(kāi)始形成導電溝道所需的柵極電壓；
備注：這是設計時(shí)候比較重要的值，一般開(kāi)啟電壓是個(gè)范圍，我們要盡量保證電壓大于這個(gè)范圍。（后續會(huì )推出一個(gè)實(shí)例）
在VGS=0（增強型）的條件下 ，在增加漏源電壓過(guò)程中使ID開(kāi)始劇增時(shí)的VDS稱(chēng)為漏源擊穿電壓BVDS
ID劇增的原因有下列兩個(gè)方面：
（1）漏極附近耗盡層的雪崩擊穿
（2）漏源極間的穿通擊穿
有些MOS管中，其溝道長(cháng)度較短，不斷增加VDS會(huì )使漏區的耗盡層一直擴展到源區，使溝道長(cháng)度為零，即產(chǎn)生漏源間的穿通，穿通后，源區中的多數載流子，將直接受耗盡層電場(chǎng)的吸引，到達漏區，產(chǎn)生大的ID
在增加柵源電壓過(guò)程中，使柵極電流IG由零開(kāi)始劇增時(shí)的VGS，稱(chēng)為柵源擊穿電壓BVGS。
備注：我們所加的Vgs不能大于 BVGS
在VDS為某一固定數值的條件下 ，漏極電流的微變量和引起這個(gè)變化的柵源電壓微變量之比稱(chēng)為跨導
gm反映了柵源電壓對漏極電流的控制能力
導通電阻RON說(shuō)明了VDS對ID的影響 ，是漏極特性某一點(diǎn)切線(xiàn)的斜率的倒數
在飽和區，ID幾乎不隨VDS改變，RON的數值很大，一般在幾十千歐到幾百千歐之間
由于在數字電路中 ，MOS管導通時(shí)經(jīng)常工作在VDS=0的狀態(tài)下，所以這時(shí)的導通電阻RON可用原點(diǎn)的RON來(lái)近似
對一般的MOS管而言，RON的數值在幾百歐以?xún)?/span>
備注：此值在PWM開(kāi)關(guān)管中尤為重要，會(huì )影響較多參數，一般mos管的發(fā)熱也跟該參數有較大關(guān)系。
三個(gè)電極之間都存在著(zhù)極間電容：柵源電容Cgs 、柵漏電容Cgd和漏源電容Cds
聯(lián)系方式：鄒先生
聯(lián)系電話(huà)：0755-83888366-8022
手機：18123972950
QQ：2880195519
聯(lián)系地址：深圳市福田區車(chē)公廟天安數碼城天吉大廈CD座5C1
請搜微信公眾號:“KIA半導體”或掃一掃下圖“關(guān)注”官方微信公眾號
請“關(guān)注”官方微信公眾號:提供 MOS管 技術(shù)幫助
