場(chǎng)效應管工作原路圖-如何選用晶體三極管與場(chǎng)效應管的技巧-KIA MOS管
信息來(lái)源：本站 日期：2018-06-05
MOS場(chǎng)效應管也被稱(chēng)為MOSFET，既MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor（金屬氧化物半導體場(chǎng)效應管）的縮寫(xiě)。它一般有耗盡型和增強型兩種。
本文使用的為增強型MOS場(chǎng)效應管，其內部結構見(jiàn)圖5。它可分為NPN型PNP型。NPN型通常稱(chēng)為N溝道型，PNP型也叫P溝道型。由圖可看出，對于N溝道的場(chǎng)效應管其源極和漏極接在N型半導體上，同樣對于P溝道的場(chǎng)效應管其源極和漏極則接在P型半導體上。我們知道一般三極管是由輸入的電流控制輸出的電流。但對于場(chǎng)效應管，其輸出電流是由輸入的電壓（或稱(chēng)電場(chǎng)）控制，可以認為輸入電流極小或沒(méi)有輸入電流，這使得該器件有很高的輸入阻抗，同時(shí)這也是我們稱(chēng)之為場(chǎng)效應管的原因。
場(chǎng)效應管的工作原理，我們先了解一下僅含有一個(gè)P—N結的二極管的工作過(guò)程。場(chǎng)效應管工作原理圖如圖6所示，我們知道在二極管加上正向電壓（P端接正極，N端接負極）時(shí)，二極管導通，其PN結有電流通過(guò)。這是因為在P型半導體端為正電壓時(shí)，N型半導體內的負電子被吸引而涌向加有正電壓的P型半導體端，而P型半導體端內的正電子則朝N型半導體端運動(dòng)，從而形成導通電流。同理，當二極管加上反向電壓（P端接負極，N端接正極）時(shí)，這時(shí)在P型半導體端為負電壓，正電子被聚集在P型半導體端，負電子則聚集在N型半導體端，電子不移動(dòng)，其PN結沒(méi)有電流通過(guò)，二極管截止。
對于場(chǎng)效應管（見(jiàn)圖7），在柵極沒(méi)有電壓時(shí)，由前面分析可知，在源極與漏極之間不會(huì )有電流流過(guò)，此時(shí)場(chǎng)效應管處與截止狀態(tài)（圖7a）。當有一個(gè)正電壓加在N溝道的MOS場(chǎng)效應管柵極上時(shí)，由于電場(chǎng)的作用，此時(shí)N型半導體的源極和漏極的負電子被吸引出來(lái)而涌向柵極，但由于氧化膜的阻擋，使得電子聚集在兩個(gè)N溝道之間的P型半導體中（見(jiàn)圖7b），從而形成電流，使源極和漏極之間導通。我們也可以想像為兩個(gè)N型半導體之間為一條溝，柵極電壓的建立相當于為它們之間搭了一座橋梁，該橋的大小由柵壓的大小決定。圖8給出了P溝道的MOS場(chǎng)效應管的工作過(guò)程，其工作原理類(lèi)似這里不再重復。
下面簡(jiǎn)述一下用C-MOS場(chǎng)效應管（增強型MOS場(chǎng)效應管）組成的應用電路的工作過(guò)程（見(jiàn)圖9）。電路將一個(gè)增強型P溝道MOS場(chǎng)效應管和一個(gè)增強型N溝道MOS場(chǎng)效應管組合在一起使用。當輸入端為低電平時(shí)，P溝道MOS場(chǎng)效應管導通，輸出端與電源正極接通。當輸入端為高電平時(shí)，N溝道MOS場(chǎng)效應管導通，輸出端與電源地接通。在該電路中，P溝道MOS場(chǎng)效應管和N溝道MOS場(chǎng)效應管總是在相反的狀態(tài)下工作，其相位輸入端和輸出端相反。通過(guò)這種工作方式我們可以獲得較大的電流輸出。同時(shí)由于漏電流的影響，使得柵壓在還沒(méi)有到0V，通常在柵極電壓小于1到2V時(shí)，MOS場(chǎng)效應管既被關(guān)斷。場(chǎng)效應管工作原理圖，不同場(chǎng)效應管其關(guān)斷電壓略有不同。也正因為如此，使得該電路不會(huì )因為兩管同時(shí)導通而造成電源短路。
由以上分析我們可以畫(huà)出原理圖中MOS場(chǎng)效應管電路部分的工作過(guò)程（見(jiàn)圖10）。工作原理同前所述。
場(chǎng)效應晶體管（FieldEffectTransistor縮寫(xiě)(FET)）簡(jiǎn)稱(chēng)場(chǎng)效應管。一般的晶體管是由兩種極性的載流子,即多數載流子和反極性的少數載流子參與導電,因此稱(chēng)為雙極型晶體管,而FET僅是由多數載流子參與導電,它與雙極型相反,也稱(chēng)為單極型晶體管。它屬于電壓控制型半導體器件，具有輸入電阻高（108～109Ω）、噪聲小、功耗低、動(dòng)態(tài)范圍大、易于集成、沒(méi)有二次擊穿現象、安全工作區域寬等優(yōu)點(diǎn)，現已成為雙極型晶體管和功率晶體管的強大競爭者。
場(chǎng)效應管分結型、絕緣柵型兩大類(lèi)。結型場(chǎng)效應管（JFET）因有兩個(gè)PN結而得名，絕緣柵型場(chǎng)效應管（JGFET）則因柵極與其它電極完全絕緣而得名。目前在絕緣柵型場(chǎng)效應管中，應用最為廣泛的是MOS場(chǎng)效應管，簡(jiǎn)稱(chēng)MOS管（即金屬-氧化物-半導體場(chǎng)效應管MOSFET）；此外還有PMOS、NMOS和VMOS功率場(chǎng)效應管，以及最近剛問(wèn)世的πMOS場(chǎng)效應管、VMOS功率模塊等。
按溝道半導體材料的不同，結型和絕緣柵型各分溝道和P溝道兩種。若按導電方式來(lái)劃分，場(chǎng)效應管又可分成耗盡型與增強型。結型場(chǎng)效應管均為耗盡型，絕緣柵型場(chǎng)效應管既有耗盡型的，也有增強型的。
場(chǎng)效應晶體管可分為結場(chǎng)效應晶體管和MOS場(chǎng)效應晶體管。而MOS場(chǎng)效應晶體管又分為N溝耗盡型和增強型；P溝耗盡型和增強型四大類(lèi)。見(jiàn)下圖。
現行有兩種命名方法。第一種命名方法與雙極型三極管相同，第三位字母J代表結型場(chǎng)效應管，O代表絕緣柵場(chǎng)效應管。第二位字母代表材料，D是P型硅，反型層是N溝道；C是N型硅P溝道。例如,3DJ6D是結型N溝道場(chǎng)效應三極管，3DO6C是絕緣柵型N溝道場(chǎng)效應三極管。
第二種命名方法是CS××#，CS代表場(chǎng)效應管，××以數字代表型號的序號，#用字母代表同一型號中的不同規格。例如CS14A、CS45G等。
場(chǎng)效應管的參數很多，包括直流參數、交流參數和極限參數，但一般使用時(shí)關(guān)注
以下主要參數：．
1、I DSS-飽和漏近電流。是指結型或耗盡型絕緣柵場(chǎng)效應管中，柵極電壓U GS=O時(shí)的漏源電流。．
2、UP一夾斷電壓。是指結型或耗盡型絕緣柵場(chǎng)效應管中，使漏源間剛截止時(shí)的柵極電壓。．
3、UT一開(kāi)啟電壓。是指增強型絕緣柵場(chǎng)效管中，使漏源間剛導通時(shí)的柵極電 壓。
4、GM一跨導。是表示柵源申壓UGS-對漏極電流ID的控制能力，即漏極電流ID變化量與柵源電壓U證變化量的比值。GM-是衡量場(chǎng)效應管放大能力的重要參數。
5、BUDS-漏源擊穿電壓。是指柵源電壓UGS一定時(shí)，場(chǎng)效應管正常工作所能承受的最大漏近電壓。這是一項極限參數，加在場(chǎng)效應管上的工作電壓必須小于 BUDS?！?/span>
6、PDSM-最大耗散功率。也是一項極限參數，是指場(chǎng)效應管性能不變壞時(shí)所允許的最大漏源耗散功率。使用時(shí)，場(chǎng)效應管實(shí)際功耗應小于PDSM并留有一定余量。．
7、IDSM一最大漏源電流。是一項極限參數，是指場(chǎng)效應管正常工作時(shí)，漏源間
所允許通過(guò)的最大電流。場(chǎng)效應管的工作電流不應超過(guò)IDSM
1、場(chǎng)效應管可應用于放大。由于場(chǎng)效應管放大器的輸入阻抗很高，因此耦合電容可以容量較小，不必使用電解電容器。
2、場(chǎng)效應管很高的輸入阻抗非常適合作阻抗變換。常用于多級放大器的輸入級作阻抗變換。
3、場(chǎng)效應管可以用作可變電阻。
4、場(chǎng)效應管可以方便地用作恒流源。
5、場(chǎng)效應管可以用作電子開(kāi)關(guān)。
1、結型場(chǎng)效應管的管腳識別
場(chǎng)效應管的柵極相當于晶體管的基極，源極和漏極分別對應于晶體管的發(fā)射極和集電極。將萬(wàn)用表置于R×1k檔，用兩表筆分別測量每?jì)蓚€(gè)管腳間的正、反向電阻。當某兩個(gè)管腳間的正、反向電阻相等，均為數KΩ時(shí)，則這兩個(gè)管腳為漏極D和源極S（可互換），余下的一個(gè)管腳即為柵極G。對于有4個(gè)管腳的結型場(chǎng)效應管，另外一極是屏蔽極（使用中接地）。
2、判定柵極
用萬(wàn)用表黑表筆碰觸管子的一個(gè)電極，紅表筆分別碰觸另外兩個(gè)電極。若兩次測出的阻值都很小，說(shuō)明均是正向電阻，該管屬于N溝道場(chǎng)效應管，黑表筆接的也是柵極。
制造工藝決定了場(chǎng)效應管的源極和漏極是對稱(chēng)的，可以互換使用，并不影響電路的正常工作，所以不必加以區分。源極與漏極間的電阻約為幾千歐。
注意不能用此法判定絕緣柵型場(chǎng)效應管的柵極。因為這種管子的輸入電阻極高，柵源間的極間電容又很小，測量時(shí)只要有少量的電荷，就可在極間電容上形成很高的電壓，容易將管子損壞。
3、估測場(chǎng)效應管的放大能力
將萬(wàn)用表?yè)艿絉×100檔，紅表筆接源極S，黑表筆接漏極D，相當于給場(chǎng)效應管加上1.5V的電源電壓。這時(shí)表針指示出的是D-S極間電阻值。然后用手指捏柵極G，將人體的感應電壓作為輸入信號加到柵極上。由于管子的放大作用，UDS和ID都將發(fā)生變化，也相當于D-S極間電阻發(fā)生變化，可觀(guān)察到表針有較大幅度的擺動(dòng)。如果手捏柵極時(shí)表針擺動(dòng)很小，說(shuō)明管子的放大能力較弱；若表針不動(dòng)，說(shuō)明管子已經(jīng)損壞。
由于人體感應的50Hz交流電壓較高，而不同的場(chǎng)效應管用電阻檔測量時(shí)的工作點(diǎn)可能不同，因此用手捏柵極時(shí)表針可能向右擺動(dòng)，也可能向左擺動(dòng)。少數的管子RDS減小，使表針向右擺動(dòng)，多數管子的RDS增大，表針向左擺動(dòng)。無(wú)論表針的擺動(dòng)方向如何，只要能有明顯地擺動(dòng)，就說(shuō)明管子具有放大能力。
本方法也適用于測MOS管。為了保護MOS場(chǎng)效應管，必須用手握住螺釘旋具絕緣柄，用金屬桿去碰柵極，以防止人體感應電荷直接加到柵極上，將管子損壞。
MOS管每次測量完畢，G-S結電容上會(huì )充有少量電荷，建立起電壓UGS，再接著(zhù)測時(shí)表針可能不動(dòng)，此時(shí)將G-S極間短路一下即可。
目前常用的結型場(chǎng)效應管和MOS型絕緣柵場(chǎng)效應管的管腳順序如下圖所示。
即金屬-氧化物-半導體型場(chǎng)效應管，英文縮寫(xiě)為MOSFET（Metal-Oxide-SemiconductorField-Effect-Transistor），屬于絕緣柵型。其主要特點(diǎn)是在金屬柵極與溝道之間有一層二氧化硅絕緣層，因此具有很高的輸入電阻（最高可達1015Ω）。它也分N溝道管和P溝道管，符號如圖1所示。通常是將襯底（基板）與源極S接在一起。根據導電方式的不同，MOSFET又分增強型、耗盡型。所謂增強型是指：當VGS=0時(shí)管子是呈截止狀態(tài)，加上正確的VGS后，多數載流子被吸引到柵極，從而“增強”了該區域的載流子，形成導電溝道。耗盡型則是指，當VGS=0時(shí)即形成溝道，加上正確的VGS時(shí)，能使多數載流子流出溝道，因而“耗盡”了載流子，使管子轉向截止。
以N溝道為例，它是在P型硅襯底上制成兩個(gè)高摻雜濃度的源擴散區N+和漏擴散區N+，再分別引出源極S和漏極D。源極與襯底在內部連通，二者總保持等電位。圖1（a）符號中的前頭方向是從外向里，表示從P型材料（襯底）指身N型溝道。當漏接電源正極，源極接電源負極并使VGS=0時(shí)，溝道電流（即漏極電流）ID=0。隨著(zhù)VGS逐漸升高，受柵極正電壓的吸引，在兩個(gè)擴散區之間就感應出帶負電的少數載流子，形成從漏極到源極的N型溝道，當VGS大于管子的開(kāi)啟電壓VTN（一般約為+2V）時(shí)，N溝道管開(kāi)始導通，形成漏極電流ID。
國產(chǎn)N溝道MOSFET的典型產(chǎn)品有3DO1、3DO2、3DO4（以上均為單柵管），4DO1（雙柵管）。它們的管腳排列（底視圖）見(jiàn)圖2。
MOS場(chǎng)效應管比較“嬌氣”。這是由于它的輸入電阻很高，而柵-源極間電容又非常小，極易受外界電磁場(chǎng)或靜電的感應而帶電，而少量電荷就可在極間電容上形成相當高的電壓（U=Q/C），將管子損壞。因此了廠(chǎng)時(shí)各管腳都絞合在一起，或裝在金屬箔內，使G極與S極呈等電位，防止積累靜電荷。管子不用時(shí)，全部引線(xiàn)也應短接。在測量時(shí)應格外小心，并采取相應的防靜電感措施。
（1）．準備工作
測量之前，先把人體對地短路后，才能摸觸MOSFET的管腳。最好在手腕上接一條導線(xiàn)與大地連通，使人體與大地保持等電位。再把管腳分開(kāi)，然后拆掉導線(xiàn)。
（2）．判定電極
將萬(wàn)用表?yè)苡赗×100檔，首先確定柵極。若某腳與其它腳的電阻都是無(wú)窮大，證明此腳就是柵極G。交換表筆重測量，S-D之間的電阻值應為幾百歐至幾千歐，其中阻值較小的那一次，黑表筆接的為D極，紅表筆接的是S極。日本生產(chǎn)的3SK系列產(chǎn)品，S極與管殼接通，據此很容易確定S極。
（3）．檢查放大能力（跨導）
將G極懸空，黑表筆接D極，紅表筆接S極，然后用手指觸摸G極，表針應有較大的偏轉。雙柵MOS場(chǎng)效應管有兩個(gè)柵極G1、G2。為區分之，可用手分別觸摸G1、G2極，其中表針向左側偏轉幅度較大的為G2極。
目前有的MOSFET管在G-S極間增加了保護二極管，平時(shí)就不需要把各管腳短路了。
MOS場(chǎng)效應晶體管在使用時(shí)應注意分類(lèi)，不能隨意互換。MOS場(chǎng)效應晶體管由于輸入阻抗高（包括MOS集成電路）極易被靜電擊穿，使用時(shí)應注意以下規則：
（1）.MOS器件出廠(chǎng)時(shí)通常裝在黑色的導電泡沫塑料袋中，切勿自行隨便拿個(gè)塑料袋裝。也可用細銅線(xiàn)把各個(gè)引腳連接在一起，或用錫紙包裝
（2）.取出的MOS器件不能在塑料板上滑動(dòng)，應用金屬盤(pán)來(lái)盛放待用器件。
（3）.焊接用的電烙鐵必須良好接地。
（4）.在焊接前應把電路板的電源線(xiàn)與地線(xiàn)短接，再MOS器件焊接完成后在分開(kāi)。
（5）.MOS器件各引腳的焊接順序是漏極、源極、柵極。拆機時(shí)順序相反。
（6）.電路板在裝機之前，要用接地的線(xiàn)夾子去碰一下機器的各接線(xiàn)端子，再把電路板接上去。
（7）.MOS場(chǎng)效應晶體管的柵極在允許條件下，最好接入保護二極管。在檢修電路時(shí)應注意查證原有的保護二極管是否損壞。
VMOS場(chǎng)效應管（VMOSFET）簡(jiǎn)稱(chēng)VMOS管或功率場(chǎng)效應管，其全稱(chēng)為V型槽MOS場(chǎng)效應管。它是繼MOSFET之后新發(fā)展起來(lái)的高效、功率開(kāi)關(guān)器件。它不僅繼承了MOS場(chǎng)效應管輸入阻抗高（≥108W）、驅動(dòng)電流?。ㄗ笥?.1μA左右），還具有耐壓高（最高可耐壓1200V）、工作電流大（1.5A～100A）、輸出功率高（1～250W）、跨導的線(xiàn)性好、開(kāi)關(guān)速度快等優(yōu)良特性。正是由于它將電子管與功率晶體管之優(yōu)點(diǎn)集于一身，因此在電壓放大器（電壓放大倍數可達數千倍）、功率放大器、開(kāi)關(guān)電源和逆變器中正獲得廣泛應用。
眾所周知，傳統的MOS場(chǎng)效應管的柵極、源極和漏極大大致處于同一水平面的芯片上，其工作電流基本上是沿水平方向流動(dòng)。VMOS管則不同，從左下圖上可以看出其兩大結構特點(diǎn):第一，金屬柵極采用V型槽結構；第二，具有垂直導電性。由于漏極是從芯片的背面引出，所以ID不是沿芯片水平流動(dòng)，而是自重摻雜N+區（源極S）出發(fā)，經(jīng)過(guò)P溝道流入輕摻雜N-漂移區，最后垂直向下到達漏極D。電流方向如圖中箭頭所示，因為流通截面積增大，所以能通過(guò)大電流。由于在柵極與芯片之間有二氧化硅絕緣層，因此它仍屬于絕緣柵型MOS場(chǎng)效應管。
國內生產(chǎn)VMOS場(chǎng)效應管的主要廠(chǎng)家有877廠(chǎng)、天津半導體器件四廠(chǎng)、杭州電子管廠(chǎng)等，典型產(chǎn)品有VN401、VN672、VMPT2等。表1列出六種VMOS管的主要參數。其中，IRFPC50的外型如右上圖所示。
（1）．判定柵極G
將萬(wàn)用表?yè)苤罵×1k檔分別測量三個(gè)管腳之間的電阻。若發(fā)現某腳與其字兩腳的電阻均呈無(wú)窮大，并且交換表筆后仍為無(wú)窮大，則證明此腳為G極，因為它和另外兩個(gè)管腳是絕緣的。
（2）．判定源極S、漏極D
由圖1可見(jiàn)，在源-漏之間有一個(gè)PN結，因此根據PN結正、反向電阻存在差異，可識別S極與D極。用交換表筆法測兩次電阻，其中電阻值較低（一般為幾千歐至十幾千歐）的一次為正向電阻，此時(shí)黑表筆的是S極，紅表筆接D極。
（3）．測量漏-源通態(tài)電阻RDS（on）
將G-S極短路，選擇萬(wàn)用表的R×1檔，黑表筆接S極，紅表筆接D極，阻值應為幾歐至十幾歐。
由于測試條件不同，測出的RDS（on）值比手冊中給出的典型值要高一些。例如用500型萬(wàn)用表R×1檔實(shí)測一只IRFPC50型VMOS管，RDS（on）=3.2W，大于0.58W（典型值）。
（4）．檢查跨導
將萬(wàn)用表置于R×1k（或R×100）檔，紅表筆接S極，黑表筆接D極，手持螺絲刀去碰觸柵極，表針應有明顯偏轉，偏轉愈大，管子的跨導愈高。
注意事項：
（1）VMOS管亦分N溝道管與P溝道管，但絕大多數產(chǎn)品屬于N溝道管。對于P溝道管，測量時(shí)應交換表筆的位置。
（2）有少數VMOS管在G-S之間并有保護二極管，本檢測方法中的1、2項不再適用。
（3）目前市場(chǎng)上還有一種VMOS管功率模塊，專(zhuān)供交流電機調速器、逆變器使用。例如美國IR公司生產(chǎn)的IRFT001型模塊，內部有N溝道、P溝道管各三只，構成三相橋式結構。
（4）現在市售VNF系列（N溝道）產(chǎn)品，是美國Supertex公司生產(chǎn)的超高頻功率場(chǎng)效應管，其最高工作頻率fp=120MHz，IDSM=1A，PDM=30W，共源小信號低頻跨導gm=2000μS。適用于高速開(kāi)關(guān)電路和廣播、通信設備中。
（5）使用VMOS管時(shí)必須加合適的散熱器后。以VNF306為例，該管子加裝140×140×4（mm）的散熱器后，最大功率才能達到30W
（1）場(chǎng)效應管是電壓控制元件，而晶體管是電流控制元件。在只允許從信號源取較少電流的情況下，應選用場(chǎng)效應管；而在信號電壓較低，又允許從信號源取較多電流的條件下，應選用晶體管。
（2）場(chǎng)效應管是利用多數載流子導電，所以稱(chēng)之為單極型器件，而晶體管是即有多數載流子，也利用少數載流子導電。被稱(chēng)之為雙極型器件。
（3）有些場(chǎng)效應管的源極和漏極可以互換使用，柵壓也可正可負，靈活性比晶體管好。
（4）場(chǎng)效應管能在很小電流和很低電壓的條件下工作，而且它的制造工藝可以很方便地把很多場(chǎng)效應管集成在一塊硅片上，因此場(chǎng)效應管在大規模集成電路中得到了廣泛的應用。
晶體三極管簡(jiǎn)稱(chēng)三極管，和場(chǎng)效應管一樣，具有放大作用和開(kāi)關(guān)特性的，是電子設備中的核心器件之一，應用十分廣泛。三極管和場(chǎng)效應管雖然特性，外形相同，但是工作原理卻大不一樣，普通三極管是電流控制器件，二場(chǎng)效應管是電壓控制器件。
晶體三極管：
用于電壓放大或者電路放大的控制器件?？梢园鸦鶚O和集電極的間的電壓Vbc放大到幾十到幾百倍以上，在發(fā)射集和集電極之間以Vce的方式輸出;還可以把基極電流Ib放大β倍，然后在集電極以Ic形式輸出。
場(chǎng)效應管：
原件要比晶體管小得多.晶體管就是一個(gè)小硅片.但是場(chǎng)效應管的結構要比晶體管的要復雜.場(chǎng)效應管的溝道一般是幾個(gè)納米,也就是說(shuō)場(chǎng)效應管的“硅片”的制作更加復雜而且體積要比晶體管小的多.但是話(huà)又說(shuō)回來(lái).工業(yè)制造場(chǎng)效應管的集成電路要比晶體管的要簡(jiǎn)單得多.而且集成密度要比晶體管的要大得多.場(chǎng)效應管是電壓控制電流的晶體管是電流控制電流型的.一般不可以直接代換的.除非稍微改變一下電路結構。
必須了解晶體管的類(lèi)型和材料，常用的有NPN和PNP兩種，這兩種管工作時(shí)對電壓的極性要求不同，所以是這兩種晶體管是不能互相替換的。三極管額材料有鍺材料和硅材料，它們之前最大的差異就是其實(shí)電壓不一樣。在放大電路中，假如使用同類(lèi)型的鍺管代替同類(lèi)型的硅管，反之替換，一般都是可以的，但都要在基極偏置電壓上進(jìn)行必要的調整。因為他們的起始電壓不一樣，但是在脈沖電路和開(kāi)關(guān)電路中不同材料的三極管是否能互換必須進(jìn)行具體的分析，切不可盲目代換。
選取場(chǎng)效應管只要三步：
1.選擇須合適的勾道(N溝道還是P溝道)
2.確定場(chǎng)效應管的額定電流，選好額定電流以后，還需計算導通損耗。
3.確定熱要求，設計人員在設計時(shí)必須考慮到最壞和真實(shí)兩種情況。一般建議采用針對最壞的結果計算，因為這個(gè)結果提供更大的安全余量，能夠確保系統不會(huì )失效。
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