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廣東可易亞半導體科技有限公司

國家高新企業(yè)

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超結場(chǎng)效應管原廠(chǎng)家 超結mos價(jià)格 超結MOS產(chǎn)品系列 KIA MOS管

信息來(lái)源:本站 日期:2018-04-02 

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深圳市可易亞半導體科技有限公司(簡(jiǎn)稱(chēng)KIA半導體)是一家專(zhuān)業(yè)從事中大功率場(chǎng)效應管(MOSFET)、快速恢復二極管、三端穩壓管開(kāi)發(fā)設計,集研發(fā)、生產(chǎn)和銷(xiāo)售為一體的國家高新技術(shù)企業(yè)。


2005年在深圳福田,KIA半導體開(kāi)啟了前行之路,注冊資金1000萬(wàn),辦公區域達1200平方,現在的KIA半導體已經(jīng)擁有了獨立的研發(fā)中心,研發(fā)人員以來(lái)自韓國的超一流團隊為主體,可以快速根據客戶(hù)應用領(lǐng)域的個(gè)性來(lái)設計方案,同時(shí)引進(jìn)多臺國外先進(jìn)設備,業(yè)務(wù)含括功率器件的參數檢測、可靠性檢測、系統分析、失效分析等領(lǐng)域。強大的研發(fā)平臺,使得KIA在工藝制造、產(chǎn)品設計方面擁有知識產(chǎn)權35項,并掌握多項場(chǎng)效應管核心制造技術(shù)。自主研發(fā)已經(jīng)成為了企業(yè)的核心競爭力。


超結場(chǎng)效應管

KIA設計生產(chǎn)的超結場(chǎng)效應管用先進(jìn)的耐壓原理和優(yōu)化的設計結構,全新600~900V系列產(chǎn)品為系統應用提供充足的耐壓余量,簡(jiǎn)化系統設計難度,提高系統可靠性,滿(mǎn)足客戶(hù)對高耐壓、低導通內阻和高效超結MOSFET的需求。


產(chǎn)品特征

更高耐壓為系統設計和應用提供更充足余量

更低的導通電阻,利于降低導通損耗

極低的柵極電荷,提供更快的開(kāi)關(guān)速度

同規格下更小的封裝體積,使系統更輕便

雪崩能力測試,確保產(chǎn)品質(zhì)量可靠


應用領(lǐng)域

應用領(lǐng)域

正激電路

準諧振反激電路

適配器

太陽(yáng)能逆變器

工業(yè)整流

 

N-CHANNEL

Part Number

ID

A

BVDSSV

RDSON)(Ω)Max

RDSON)(Ω)Typ

ciss

Package

pF

KIA65R950U/D/B/FS

5

650

0.95

0.85

320

TO-251252263220F

KCD4560A

5.4

600

0.9

0.77

380

TO-252

KIA65R700U/D/FS

7

650

0.7

0.6

360

TO-251252220F

KIA60R380DS

11

600

0.38

0.34

680

TO-252

KIA65R420U/D/B/FS

11

650

0.42

0.38

680

TO-251252263220F

KIA65R300B/FS

15

650

0.3

0.27

800

TO-263220F

KCP7610A

20

600

0.19

0.16

1440

TO-220

KIA65R190F/HS

20

650

0.19

0.16

1440

TO-220F3P

KIA60R70HS

47

600

0.07

0.06

3100

TO-3P

KCM9860A

47

600

0.081

0.068

3111

TO-247


KIA半導體的產(chǎn)品涵蓋工業(yè)、新能源、交通運輸、綠色照明四大領(lǐng)域,不僅包括光伏逆變及無(wú)人機這類(lèi)新興能源,也涉及汽車(chē)配件、LED照明等家庭用品。KIA專(zhuān)注于產(chǎn)品的精細化與革新,力求為客戶(hù)提供最具行業(yè)領(lǐng)先、品質(zhì)上乘的科技產(chǎn)品。


從設計研發(fā)到制造再到倉儲物流,KIA半導體真正實(shí)現了一體化的服務(wù)鏈,真正做到了服務(wù)細節全到位的品牌內涵,我們致力于成為場(chǎng)效應管(MOSFET)功率器件領(lǐng)域的領(lǐng)跑者,為了這個(gè)目標,KIA半導體正在持續創(chuàng )新,永不止步!


聯(lián)系方式:鄒先生

聯(lián)系電話(huà):0755-83888366-8022

手機:18123972950

QQ:2880195519

聯(lián)系地址:深圳市福田區車(chē)公廟天安數碼城天吉大廈CD座5C1


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