成人欧美网站免费_KIA原廠(chǎng)家mos管 KIA6035A 11A /350V N溝道 PDF文件下載-KIA MOS管

KIA原廠(chǎng)家mos管 KIA6035A 11A /350V N溝道 PDF文件下載-KIA MOS管

信息來(lái)源：本站　日期：2018-03-13　

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這是功率MOSFET采用起亞`平面條形DMOS工藝生產(chǎn)的先進(jìn)。這種先進(jìn)的技術(shù)特別適合于最小化狀態(tài)電阻，提供優(yōu)越性。

開(kāi)關(guān)性能，在雪崩和換相模式下承受高能量脈沖。這些器件非常適合于高效率開(kāi)關(guān)電源，有源功率因數校正。基于半橋拓撲。

RDS（ON）= 0.38Ω@ VGS = 10v

低柵極電荷（典型的15nc）

高耐用性

快速切換的能力

雪崩能量

改進(jìn)的dt／dt能力

產(chǎn)品型號：KIA6035A

工作方式：11A/350V

漏源電壓：350V

柵源電壓：±20V

漏電流連續：11A

脈沖漏極電流:9.0A

雪崩能量：423mJ

耗散功率：99W

熱電阻：62.5℃/W

漏源擊穿電壓：350V

柵極閾值電壓：2.0V

輸入電容：844PF

輸出電容：162PF

上升時(shí)間：23.5ns

封裝形式：TO-252、TO-220

4、KIA6035A產(chǎn)品規格

	KIA6035A
產(chǎn)品編號	KIA6035A 11A/350V
產(chǎn)品工藝	這是功率MOSFET采用起亞`平面條形DMOS工藝生產(chǎn)的先進(jìn)。這種先進(jìn)的技術(shù)特別適合于最小化狀態(tài)電阻，提供優(yōu)越性。
產(chǎn)品特征	RDS（ON）= 0.38Ω@ VGS = 10v 低柵極電荷（典型的15nc）高耐用性快速切換的能力雪崩能量改進(jìn)的dt／dt能力
適用范圍	適合于最小化狀態(tài)電阻，高效率開(kāi)關(guān)電源，有源功率因數校正。基于半橋拓撲。
封裝形式	TO-252、TO-220
PDF文件	【直接在線(xiàn)預覽】
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廠(chǎng)家	KIA原廠(chǎng)家
網(wǎng)址	www.bontheholidayvillage.com
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