場(chǎng)效應管和IGBT有什么區別-場(chǎng)效應管型號大全-KIA 官網(wǎng)
信息來(lái)源：本站 日期：2018-02-25
IGBT：IGBT是由BJT（雙極型三極管）和MOS（絕緣柵型場(chǎng)效應管）組成的復合全控型電壓驅動(dòng)式電力半導體器件， 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅動(dòng)電流較大;MOSFET驅動(dòng)功率很小，開(kāi)關(guān)速度快，但導通壓降大，載流密度小。
IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn)，驅動(dòng)功率小而飽和壓降低。 專(zhuān)業(yè)名字為絕緣柵雙極型功率管 。通俗點(diǎn)說(shuō)GBT管是有MOS管（場(chǎng)效應管）和雙極型達林頓管結合而成。將場(chǎng)效應管做為推動(dòng)管，大功率達林頓管作為輸出管。這樣兩者優(yōu)點(diǎn)有機的結合成現在的IGBT管，功率可以做的很大。
場(chǎng)效應晶體管（Field Effect Transistor縮寫(xiě)（FET））簡(jiǎn)稱(chēng)場(chǎng)效應管。主要有兩種類(lèi)型（juncTIon FET—JFET）和金屬 - 氧化物半導體場(chǎng)效應管（metal-oxide semiconductor FET，簡(jiǎn)稱(chēng)MOS-FET）。由多數載流子參與導電，也稱(chēng)為單極型晶體管。它屬于電壓控制型半導體器件。具有輸入電阻高（107～1015Ω）、噪聲小、功耗低、動(dòng)態(tài)范圍大、易于集成、沒(méi)有二次擊穿現象、安全工作區域寬等優(yōu)點(diǎn)。
場(chǎng)效應管型號功能大全：
