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KCX3560A原裝正品 KCX3560A 76A/600V TO-247封裝-KIA 官網(wǎng)

信息來(lái)源:本站 日期:2018-01-24 

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3560A產(chǎn)品參數

這種高電壓MOSFET采用先進(jìn)的方案,提供增強的電壓。不隨時(shí)間降低性能的阻塞能力。此外,這種先進(jìn)的MOSFET是設計能夠承受高能量的雪崩模式。這種新的節能設計還提供了一個(gè)快速恢復時(shí)間二極管源漏。專(zhuān)為高電壓、高速設計開(kāi)關(guān)電源,轉換器和PWM電機控制中的應用程序,這些設備特別適用于橋式電路,二極管速度和換向安全操作區域。關(guān)鍵和提供額外的和安全邊際對意外電壓瞬變。

3560A特征

魯棒高壓端接

雪崩能量

源漏二極管恢復時(shí)間相當于分立快恢復二極管

二極管的特點(diǎn)是用于橋式電路。

高溫下指定的智能決策支持系統

隔離安裝孔減少安裝硬件

3560A產(chǎn)品參數

產(chǎn)品型號:KCX3560A

工作方式:76A.600V

漏電流連續:76A

漏電流脈沖:225.9A

柵源電壓(連續):±20V

耗散功率:595W

漏源擊穿電壓:600V

柵極閾值電壓:2V

輸入電容:6018 PF

輸出電容:245 PF

上升時(shí)間:114.8ns

封裝形式:TO-247


3560產(chǎn)品規格


KCX3560A(70A/600V))
產(chǎn)品編號 KCX3560A(N溝道MOSFET)
產(chǎn)品工藝 這種高電壓MOSFET采用先進(jìn)的方案,提供增強的電壓。不隨時(shí)間降低性能的阻塞能力。此外,這種先進(jìn)的MOSFET是設計能夠承受高能量的雪崩模式。這種新的節能設計還提供了一個(gè)快速恢復時(shí)間二極管源漏。
產(chǎn)品特征

魯棒高壓端接

雪崩能量

源漏二極管恢復時(shí)間相當于分立快恢復二極管

二極管的特點(diǎn)是用于橋式電路。

高溫下指定的智能決策支持系統

隔離安裝孔減少安裝硬件

適用范圍 專(zhuān)為高電壓、高速設計開(kāi)關(guān)電源,轉換器和PWM電機控制中的應用程序,這些設備特別適用于橋式電路,二極管速度和換向安全操作區域。關(guān)鍵和提供額外的和安全邊際對意外電壓瞬變。
封裝形式 TO-247等
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