IRF740參數指標

IRF740屬于Vishay的第三代Power MOSFETs。IRF740為設計者提供了轉換快速、堅固耐用、低導通阻抗和高效益的強力組合。

新系列的低電荷PowerMOSFETIRF740LC則具有比傳統MOSFETs明顯更低的柵電荷。利用新型的LCDMOS技術(shù)，IRF740LC性能得到增強且無(wú)需增加額外的成本，簡(jiǎn)化了柵極動(dòng)需求，從而節省了系統總體開(kāi)銷(xiāo)。此外，在大量的高頻應用中，IRF740LC減少了轉換損耗，效能得到強化。

TO-220封裝的IRF740普遍適用于功耗在50W左右的工商業(yè)應用，低熱阻和低成本的TO-220封裝，使IRF740得到業(yè)內的普遍認可。SMD-220封裝的IRF740適用于貼片安裝，比起現有的任何其他貼片封裝，可說(shuō)是功率最高，導通阻抗最低。IRF740的SMD-220封裝可適應高強度電流的應用。

2、IRF740特征

動(dòng)態(tài)dv/dt率

可恢復性雪崩測定

快速轉換速率

并行簡(jiǎn)易

僅需簡(jiǎn)單驅動(dòng)

超低柵電荷 - IRF740LC

增強VGS等級 30 V - IRF740LC

極高工作頻率 - IRF740LC

無(wú)鉛環(huán)保

3、產(chǎn)品參數

晶體管極性:N溝道

漏極電流, Id 最大值: 10A (at 25℃)

電壓, Vgs 最大:20V

開(kāi)態(tài)電阻, Rds(on): 典型值 0.48Ω

（Vgs=10V，Id=5.3A）

電壓Vds 最高:400V

功耗:2.5W

功率溫度:25°C

4、IRF730產(chǎn)品參考

PartNumbe	VDss(V)	ID（A）	MaxRDS(ON) @60%ID(Ω)	Typical RD（ON）@60%ID（Ω）
IRF630	200	9.5	300	23.3
IRF024	60	14	0.10	25
IRF634	250	8.1	0.45	41
IRF830	500	4.5	1.5	38
IRF840	500	8.0	0.85	63
IRF7811	30	14	14	17
IRF530	100	14	0.16	26
IRF7413	30	13	11	44