KIA12N60H產(chǎn)品描述

KIA12n60hN溝道增強型硅柵功率MOSFET是專(zhuān)為高電壓，高速功率開(kāi)關(guān)應用，如高效率開(kāi)關(guān)電源，基于半橋拓撲結構的有源功率因數校正電子鎮流器。

2、特征

RDS（ON）= 0.53?@ V GS = 10 V

低柵極電荷（典型的52nc）

快速切換的能力

雪崩能量

改進(jìn)的dt／dt能力

3、產(chǎn)品參數

漏極至源極電壓（VDSS）：600

柵源電壓（VGSS）：±30

漏極電流（連續）（lD）：Tc=25℃ 12A Tc=100℃ 7.4A

耗散功率（PD）：231

工作溫度：±150

擊穿電壓溫度：0.7

輸入電容：VGS =0V,VDS=25V,f=1.0MHz

上升時(shí)間：VDD=300V，ID=12A，RG=25Ω

4、KIA12N60H產(chǎn)品規格

	KIA12N50（12A 60V）
產(chǎn)品編號	KIA12N60/F/HF/HP
產(chǎn)品工藝	kia12n60hN溝道增強型硅柵功率MOSFET是專(zhuān)為高電壓，高速功率開(kāi)關(guān)應用，如高效率開(kāi)關(guān)電源，基于半橋拓撲結構的有源功率因數校正電子鎮流器。
產(chǎn)品特征	RDS（ON）= 0.53?@ V GS = 10 V 低柵極電荷（典型的52nc）快速切換的能力雪崩能量改進(jìn)的dt／dt能力
適用范圍	高電壓，高速功率開(kāi)關(guān)應用，如高效率開(kāi)關(guān)電源，基于半橋拓撲結構的有源功率因數校正電子鎮流器
封裝形式	TO-220、Yo-220F
PDF文件	【直接在線(xiàn)預覽】
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廠(chǎng)家	KIA 原廠(chǎng)家
網(wǎng)址	www.bontheholidayvillage.com
PDF總頁(yè)數	總7頁(yè)