4n60mos管供應商 4n60規格書(shū) 4n60 PDF在線(xiàn)預覽-中文資料
信息來(lái)源：本站 日期：2018-01-13
描述
N溝道增強型高壓功率MOS場(chǎng)效應晶體管
KIA4N60該產(chǎn)品具有較低的導通電阻、優(yōu)越的開(kāi)關(guān)性能及很高的雪崩擊穿耐量。 該產(chǎn)品可廣泛應用于A(yíng)C-DC開(kāi)關(guān)電源，DC-DC電源轉換器，高壓H橋PWM馬達驅動(dòng)。
特點(diǎn)
4A，600V，RDS(on)（典型值）=2.0 ?@VGS=10V
*低柵極電荷量
*低反向傳輸電容
*開(kāi)關(guān)速度快
*提升了dv/dt 能力
 |
4N60/H/HD/HF/HI/HU/P/PD |
| 描述 | 4.0A 600V N-CHANNEL MOSFET |
| PDF文件 | |
| LOGO |
 |
| 廠(chǎng)家 | KIA原廠(chǎng)家 |
| 網(wǎng)址 | www.bontheholidayvillage.com |
| PDF頁(yè)數 | 總6頁(yè)數 |
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描述：
N溝道增強型高壓功率MOS場(chǎng)效應晶體管
KIA4N60該產(chǎn)品具有較低的導通電阻、優(yōu)越的開(kāi)關(guān)性能及很高的雪崩擊穿耐量。 該產(chǎn)品可廣泛應用于A(yíng)C-DC開(kāi)關(guān)電源，DC-DC電源轉換器，高壓H橋PWM馬達驅動(dòng)。
特點(diǎn)
4A，600V，RDS(on)（典型值）=2.0 ?@VGS=10V
*低柵極電荷量
*低反向傳輸電容
*開(kāi)關(guān)速度快
*提升了dv/dt 能力
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4N60/H/HD/HF/HI/HU/P/PD |
| 描述 | 4.0A 600V N-CHANNEL MOSFET |
| PDF文件 | |
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| 廠(chǎng)家 | KIA原廠(chǎng)家 |
| 網(wǎng)址 | www.bontheholidayvillage.com |
| PDF頁(yè)數 | 總6頁(yè) |
